Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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24 707En existencias

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SQ4961EY-T1_GE3

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78-SQ4961EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

60 V

4.4 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡452,80
139 940En existencias

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SQ1539EH-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

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₡206,10

₡181,64

₡138,96

Envase tipo carrete

₡107,22

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQ3985EV-T1_GE3

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78-SQ3985EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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P-Channel

2 Channel

20 V

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1.5 V

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3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4425EY-T1_GE3

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₡530,87

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Envase tipo carrete

₡470,50

MouseReel Disponible

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SOIC-8

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30 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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31 288En existencias

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SQ4949EY-T1_GE3

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₡634,97

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₡454,89

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Envase tipo carrete

₡392,43

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SOIC-8

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30 V

7.5 A

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30 nC

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+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1470AEH-T1_GE3

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₡115,02

₡100,97

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30 V

1.7 A

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3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1912AEEH-T1_GE3

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1912EH-T1_GE3

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₡95,25

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1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1922AEEH-T1_GE3

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

300 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

1.2 nC

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1.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6

SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3989EV-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

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₡128,55

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

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- 20 V, 20 V

1.5 V

11.1 nC

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4153EY-T1_GE3

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₡471,54

₡426,26

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Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

25 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1421EDH-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

₡452,80

₡206,10

₡181,64

₡138,96

Envase tipo carrete

₡107,22

₡105,13

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

5.4 nC

- 55 C

+ 100 C

2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1563AEH-T1_GE3

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Cinta cortada

₡452,80

₡206,10

₡181,64

₡138,96

Envase tipo carrete

₡107,22

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

150 mOhms, 500 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV, 1.5 V

930 pC, 1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

SQ4431EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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53 423En existencias

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SQ4431EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4431EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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₡947,25

₡450,72

₡402,32

₡317,48

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₡259,71

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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V

SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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71 167En existencias

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SQ9407EY-T1_BE3

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₡407,52

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₡257,63

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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

60 V

4.6 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

26.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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143 220En existencias

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SQ2303ES-T1_GE3

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₡525,67

₡373,69

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₡160,82

₡142,09

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₡120,75

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

4.5 nC

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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306 359En existencias

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SQ3427AEEV-T1_GE3

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78-SQ3427AEEV-T1_GE3

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₡162,91

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: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4431EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SQ4431EY-T1_BE3

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₡450,72

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₡317,48

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₡259,71

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1922EEH-T1_GE3

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78-SQ1922EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

20 V

840 mA

350 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

700 pC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQ4184EY-T1_GE3
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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

29 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ3419AEEV-T1_BE3
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

61 mOhms

- 12 V, 12 V

2.5 V

8.4 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

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SQ2303ES-T1_BE3
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

170 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

TrenchFET

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SQ3987EV-T1_GE3
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: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

3 A

85 mOhms, 85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified

SQ4470EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

16 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
- 22 A
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.5 A, 3.57 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A

1.24 mOhms
1.8 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.52 mOhms
3.1 mOhms
3.3 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
7.8 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
10.6 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W