DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 2 936En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 24 V 70 A 5 mOhms - 12 V, 12 V 550 mV 53.7 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 1 410En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 24 V 80 A 5 mOhms - 12 V, 12 V 550 mV 53.7 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1 465En existencias
2 000Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 2 544En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT V-DFN3030-Q-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17.1 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 269En existencias
21 000Se espera el 12/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 14.1 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 1 927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55.6 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 1 354En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 1 739En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 375En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 2 425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT V-DFN3030-K-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 11.1 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 20 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 1 789En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K 378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 30 V 32 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K 779En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 30 V 32 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, SO-8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 31En existencias
2 500Se espera el 2/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 16 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 67.7 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 61En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 67.7 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V 64En existencias
5 000Se espera el 17/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 65 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1 130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 22En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49.1 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 99En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 11.5 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 531En existencias
2 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 11.5 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V 56En existencias
2 500Se espera el 20/10/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 130.8 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 531En existencias
5 000Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W 1 645En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 41.3 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 21En existencias
850Se espera el 16/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 37.2 A 12 mOhms - 16 V, 16 V 700 mV 33.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube