Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Paquete / Cubierta
Microchip Technology MOSFETs de SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
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962En existencias
₡5 131,79
₡4 892,37
₡4 788,28
₡4 746,64
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4

Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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76En existencias
₡17 066,06
₡15 124,72
₡15 020,63
₡13 703,85
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
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252En existencias
₡16 899,51
₡15 884,60
₡15 879,40
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
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43En existencias
₡10 362,47
₡9 972,12
₡9 092,53
₡8 499,20
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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141En existencias
₡3 507,94
₡3 237,29
₡3 232,09
₡3 044,72
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
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497En existencias
₡21 755,45
₡20 058,74
₡17 456,41
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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450En existencias
₡4 595,71
₡4 236,59
₡3 684,90
₡3 523,55
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 30 A SiC SBD
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473En existencias
₡5 568,98
₡5 136,99
₡4 470,80
₡4 278,23
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
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307En existencias
₡21 115,28
₡19 470,61
₡16 946,35
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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858En existencias
₡8 806,27
₡8 119,26
₡7 067,92
₡6 766,05
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
Hoja de datos
837En existencias
₡2 831,33
₡2 612,74
₡2 274,43
₡2 170,34
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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18En existencias
₡1 524,96
₡1 405,26
₡1 223,09
₡1 176,25
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 10 A SiC SBD
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593En existencias
₡1 134,61
₡1 046,14
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
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82En existencias
₡2 513,85
₡2 316,07
₡2 014,20
₡1 930,93
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
Hoja de datos
75En existencias
₡2 321,28
₡2 139,11
₡1 858,06
₡1 785,20
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
19En existencias
90Se espera el 30/10/2026
₡10 143,87
₡9 352,76
₡8 140,08
₡7 791,37
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 30 A TO-247
Hoja de datos
219En existencias
₡2 133,91
₡1 967,36
₡1 712,33
₡1 639,47
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 20 A SiC SBD
Hoja de datos
220En existencias
₡1 826,83
₡1 681,10
₡1 462,51
₡1 405,26
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700V, 30A SiC SBD
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208En existencias
₡2 342,09
₡2 159,93
₡1 878,88
₡1 795,61
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
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76En existencias
₡5 376,41
₡4 960,04
₡4 314,66
₡4 127,29
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
₡6 053,01
₡5 579,39
₡4 855,94
₡4 762,26
₡4 699,80
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 50 A SiC SBD
Hoja de datos
254En existencias
₡3 273,73
₡3 018,70
₡2 628,35
₡2 519,05
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700V, 50A SiC SBD
Hoja de datos
150En existencias
₡3 539,16
₡3 263,32
₡2 841,74
₡2 716,83
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
Hoja de datos
41En existencias
₡9 290,31
₡8 566,86
₡7 458,27
₡7 135,58
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
142En existencias
₡4 809,10
₡4 434,37
₡3 856,65
₡3 690,10
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4