MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor RDS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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14 433En existencias
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: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
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5 083En existencias
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: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 610 A 470 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 129 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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8 822En existencias
Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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8 532En existencias
Min.: 1
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: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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8 652En existencias
Min.: 1
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: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 6.3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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1 432En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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72En existencias
6 000Se espera el 31/12/2026
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: 6 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
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898En existencias
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin
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900En existencias
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: 1 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
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882En existencias
Min.: 1
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: 2 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
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4 000En existencias
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: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
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4 193En existencias
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: 6 000

Si SMD/SMT WTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
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4 148En existencias
Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
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2 223En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
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: 6 000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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6 352En existencias
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
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7 785En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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3 920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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1 582En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
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500En existencias
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Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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783En existencias
Min.: 1
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: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
216En existencias
Min.: 1
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: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3 821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
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5 935En existencias
2 000Se espera el 31/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
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4 078En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
5 735En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT PG-TO263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape