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Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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Toshiba
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SSM3J378R,LF
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SSM3K318R,LF
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SSM3K62TU,LF
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TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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265En existencias
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

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TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 639,47
342En existencias
6 000En pedido

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TJ60S06M3L(T6L1,NQ

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757-TJ60S06M3LT6L1NQ

Toshiba

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: ₡348,71
39 611En existencias
156 000Se espera el 21/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

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757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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1SS307E,L3F
Toshiba
1: ₡93,68
202 844En pedido

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1SS307E,L3F

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757-1SS307EL3F

Toshiba

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

SSM3K347R,LF
Toshiba
1: ₡275,85
5 861En pedido

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SSM3K347R,LF

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757-SSM3K347RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba
1: ₡1 004,50
2 000Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
1: ₡390,35
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

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TB9081FG
Toshiba
1 600: ₡4 595,71
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TB9081FG

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757-TB9081FG

Toshiba

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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10

TB9101FNG,EL
Toshiba
2 000: ₡1 389,64
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TB9101FNG,EL

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757-TB9101FNG,EL

Toshiba

Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 004,50
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TJ80S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

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Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

1SS403TPH3F
Toshiba
6 000: ₡55,17
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1SS403TPH3F

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757-1SS403(TPH3,F)

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

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