M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

Resultados: 27
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1 338En existencias
₡11 007,84
₡7 760,14
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2 372En existencias
₡7 052,31
₡3 929,51
₡3 778,58
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947En existencias
Cinta cortada
₡10 971,41
₡8 244,17
₡7 801,78
Envase tipo carrete
₡7 801,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L 753En existencias
₡19 371,72
₡14 822,85
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 660En existencias
₡6 625,52
₡3 664,08
₡3 658,87
₡3 481,91
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1 830En existencias
Cinta cortada
₡4 913,19
₡2 872,97
₡2 685,60
₡2 539,87
Envase tipo carrete
₡2 539,87
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1 040En existencias
₡7 203,24
₡4 017,99
₡4 002,38
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1 930En existencias
Cinta cortada
₡6 318,45
₡3 549,57
₡3 461,09
₡3 273,73
Envase tipo carrete
₡3 273,73
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1 182En existencias
₡8 514,81
₡5 824,01
₡5 496,11
₡5 308,75
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 84En existencias
Cinta cortada
₡28 823,37
₡23 389,72
₡20 896,69
Envase tipo carrete
₡20 896,69
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 266En existencias
₡25 096,84
₡21 349,49
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224En existencias
₡14 776,01
₡9 758,73
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181En existencias
₡7 458,27
₡3 971,15
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 53En existencias
Cinta cortada
₡15 197,59
₡11 398,19
₡10 523,81
₡9 436,04
Envase tipo carrete
₡9 436,04
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 20MW 1200V 2 160En existencias
Cinta cortada
₡20 277,33
₡15 338,12
₡15 327,71
₡14 520,98
Envase tipo carrete
₡14 520,98
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V 745En existencias
₡20 115,99
₡14 182,68
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V 755En existencias
₡27 251,57
₡22 827,61
₡20 657,27
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 426En existencias
Cinta cortada
₡7 114,76
₡4 236,59
₡4 007,58
Envase tipo carrete
₡4 007,58
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 177En existencias
₡17 872,78
₡14 250,34
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1 733En existencias
₡5 360,79
₡3 788,99
₡3 154,02
₡2 810,51
₡2 633,55
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 363En existencias
450Se espera el 20/11/2026
₡12 147,66
₡7 656,05
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 477En existencias
450Se espera el 25/6/2027
₡5 230,68
₡2 867,76
₡2 643,96
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 990En existencias
800Se espera el 23/4/2027
Cinta cortada
₡6 916,99
₡4 606,12
₡4 252,20
₡3 586,01
Envase tipo carrete
₡3 586,01
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 183En existencias
₡6 802,48
₡3 773,37
₡3 606,83
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
6 109En pedido
Cinta cortada
₡21 037,21
₡17 102,49
₡16 092,79
₡15 088,29
Envase tipo carrete
₡15 088,29
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 71 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 222 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement EliteSiC