Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1:
₡1 519,76
2 070 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
2 070 En existencias
1
₡1 519,76
10
₡983,68
100
₡676,61
500
₡546,49
2 000
₡465,82
4 000
Ver
1 000
₡513,18
4 000
₡420,54
10 000
₡418,97
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
Toshiba
1:
₡1 951,75
3 603 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
3 603 En existencias
1
₡1 951,75
10
₡1 275,14
100
₡890,00
500
₡728,65
2 000
₡614,15
4 000
Ver
1 000
₡723,45
4 000
₡588,13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1:
₡1 639,47
2 092 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
2 092 En existencias
1
₡1 639,47
10
₡1 066,95
100
₡739,06
500
₡593,33
2 000
₡487,68
4 000
Ver
1 000
₡572,51
4 000
₡464,78
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2 000
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
+3 imágenes
TB9061AFNG,EL
Toshiba
1:
₡4 351,09
447 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9061AFNG,EL
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
447 En existencias
1
₡4 351,09
10
₡3 367,41
25
₡3 122,79
100
₡2 857,36
250
Ver
2 000
₡2 440,98
250
₡2 727,24
500
₡2 649,17
1 000
₡2 581,51
2 000
₡2 440,98
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
₡1 082,57
265 En existencias
2 000 Se espera el 13/11/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
265 En existencias
2 000 Se espera el 13/11/2026
1
₡1 082,57
10
₡692,22
100
₡466,86
500
₡370,05
2 000
₡312,80
4 000
Ver
1 000
₡339,34
4 000
₡304,99
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
₡1 639,47
342 En existencias
6 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
342 En existencias
6 000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
342 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2 000 Se espera el 13/11/2026
4 000 Se espera el 14/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
1
₡1 639,47
10
₡1 066,95
100
₡692,22
500
₡582,92
1 000
₡572,51
2 000
₡530,87
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2 000:
₡284,69
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
2 000
₡284,69
4 000
₡270,12
Comprar
Min.: 2 000 Mult.: 2 000
Carrete :2 000
Detalles
Costa Rica
