Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 342,80
3 500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
3 500 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 342,80
10
₡863,97
100
₡588,13
500
₡496,52
1 000
Ver
5 000
₡399,72
1 000
₡439,79
2 500
₡415,85
5 000
₡399,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
IPP041N12N3 G
Infineon Technologies
1:
₡3 424,66
988 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP041N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
988 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 424,66
10
₡2 243,21
100
₡1 655,08
500
₡1 462,51
1 000
Ver
1 000
₡1 295,96
2 500
₡1 233,50
5 000
₡1 176,25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1:
₡3 185,25
1 953 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020NE7N3GXT
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1 953 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP040N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
₡952,45
2 116 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2 116 En existencias
1
₡952,45
10
₡454,89
100
₡405,96
500
₡320,09
1 000
Ver
1 000
₡276,37
2 000
₡262,31
5 000
₡244,10
10 000
₡228,48
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA057N08N3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 582,21
3 439 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA057N08N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
3 439 En existencias
1
₡1 582,21
10
₡785,90
100
₡723,45
500
₡582,92
1 000
Ver
1 000
₡541,28
2 500
₡520,47
5 000
₡505,89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB025N10N3 G
Infineon Technologies
1:
₡3 289,34
1 900 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1 900 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 289,34
10
₡2 154,73
100
₡1 587,42
500
₡1 436,48
1 000
₡1 259,53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1:
₡2 040,22
4 808 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
4 808 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 040,22
10
₡1 332,39
100
₡973,27
500
₡843,15
1 000
₡713,04
2 000
₡702,63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP048N12N3 G
Infineon Technologies
1:
₡2 966,65
682 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP048N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
682 En existencias
1
₡2 966,65
10
₡1 550,99
100
₡1 368,82
500
₡1 337,60
1 000
₡1 186,66
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N25N3 G
Infineon Technologies
1:
₡3 893,08
867 En existencias
1 500 Se espera el 3/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N25N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
867 En existencias
1 500 Se espera el 3/9/2026
Embalaje alternativo
1
₡3 893,08
10
₡2 550,28
100
₡1 915,31
500
₡1 623,85
1 000
₡1 493,74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC100N10NSF G
Infineon Technologies
1:
₡1 353,21
4 889 En existencias
5 000 Se espera el 17/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N10NSFG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
4 889 En existencias
5 000 Se espera el 17/9/2026
1
₡1 353,21
10
₡874,38
100
₡598,54
500
₡476,75
1 000
Ver
5 000
₡409,09
1 000
₡438,23
2 500
₡431,47
5 000
₡409,09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 113,80
23 716 En existencias
25 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC520N15NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
23 716 En existencias
25 000 En pedido
1
₡1 113,80
10
₡713,04
100
₡478,83
500
₡380,46
1 000
Ver
5 000
₡311,76
1 000
₡333,62
2 500
₡328,41
5 000
₡311,76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA086N10N3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 759,17
5 839 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA086N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3
5 839 En existencias
1
₡1 759,17
10
₡879,59
100
₡796,31
500
₡671,40
1 000
Ver
1 000
₡624,56
2 500
₡588,13
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G
Infineon Technologies
1:
₡4 163,72
3 116 En existencias
11 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
3 116 En existencias
11 000 En pedido
Embalaje alternativo
1
₡4 163,72
10
₡2 935,42
100
₡2 373,32
500
₡2 107,88
1 000
₡1 889,29
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA032N06N3 G
Infineon Technologies
1:
₡2 175,55
364 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPA032N06N3G
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
364 En existencias
1
₡2 175,55
10
₡1 426,08
100
₡1 061,75
500
₡827,54
1 000
Ver
1 000
₡817,13
2 500
₡785,90
5 000
₡770,29
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC190N12NS3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 145,02
3 919 En existencias
30 000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC190N12NS3GXT
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
3 919 En existencias
30 000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
3 919 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15 000 Se espera el 17/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡1 145,02
10
₡733,86
100
₡496,00
500
₡394,51
1 000
Ver
5 000
₡325,81
1 000
₡348,71
2 500
₡342,99
5 000
₡325,81
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 103,39
380 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
380 En existencias
1
₡1 103,39
10
₡530,87
100
₡474,66
500
₡376,30
1 000
Ver
1 000
₡318,52
5 000
₡308,12
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 051,34
108 En existencias
500 Se espera el 19/8/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
108 En existencias
500 Se espera el 19/8/2026
1
₡1 051,34
10
₡556,90
100
₡433,55
500
₡326,33
1 000
Ver
1 000
₡274,81
2 500
₡267,52
5 000
₡262,31
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1:
₡3 008,29
540 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
540 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 008,29
10
₡1 967,36
100
₡1 452,10
500
₡1 290,75
1 000
₡1 145,02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC320N20NS3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 899,70
2 130 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC320N20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
2 130 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 899,70
10
₡1 233,50
100
₡863,97
500
₡723,45
1 000
Ver
5 000
₡629,76
1 000
₡671,40
2 500
₡629,76
5 000
₡629,76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC600N25NS3 G
Infineon Technologies
1:
₡2 227,59
3 288 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC600N25NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
3 288 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 227,59
10
₡1 462,51
100
₡1 087,77
500
₡916,02
1 000
₡848,36
5 000
₡796,31
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 009,70
21 755 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ520N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
21 755 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 009,70
10
₡624,56
100
₡409,09
500
₡321,13
5 000
₡214,95
10 000
Ver
1 000
₡274,81
2 500
₡253,47
10 000
₡213,39
25 000
₡209,23
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA045N10N3 G
Infineon Technologies
1:
₡2 456,60
26 En existencias
1 500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPA045N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
26 En existencias
1 500 En pedido
Ver fechas
Existencias:
26 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1 000 Se espera el 24/9/2026
500 Se espera el 1/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
49 Semanas
1
₡2 456,60
10
₡1 452,10
100
₡1 155,43
500
₡916,02
1 000
₡874,38
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 847,65
1 194 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
1 194 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 847,65
10
₡1 202,28
100
₡843,15
500
₡733,86
1 000
₡619,35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP034NE7N3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 910,11
633 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP034NE7N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
633 En existencias
1
₡1 910,11
10
₡962,86
100
₡916,02
1 000
₡660,99
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP076N12N3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 998,59
239 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP076N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
239 En existencias
1
₡1 998,59
10
₡1 009,70
100
₡916,02
500
₡739,06
1 000
₡697,42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles