Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 35

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 STL24N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡2 300,46 7 581En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL24N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STL24N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	7 581En existencias	Cinta cortada ₡2 300,46 ₡1 176,25 ₡1 066,95 ₡890,00 Ver Envase tipo carrete ₡853,56 ₡884,79 ₡853,56 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	15 A	195 mOhms	25 V	3 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package STP43N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡3 330,98 2 760En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP43N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STP43N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	2 760En existencias	₡3 330,98 ₡1 759,17 ₡1 608,24 ₡1 535,37 ₡1 374,03	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	93 mOhms	25 V	3 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag STW56N65DM2 STMicroelectronics 1: ₡6 313,25 568En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW56N65DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STW56N65DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	568En existencias	₡6 313,25 ₡3 825,42 ₡3 549,57 ₡3 211,27	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	48 A	58 mOhms	25 V	3 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	360 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package STB33N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡3 101,97 848En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB33N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STB33N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	848En existencias	Cinta cortada ₡3 101,97 ₡1 629,06 ₡1 488,53 ₡1 353,21 Envase tipo carrete ₡1 275,14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	130 mOhms	25 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package STB35N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡3 690,10 564En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB35N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STB35N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	564En existencias	Cinta cortada ₡3 690,10 ₡2 357,71 ₡1 779,99 ₡1 582,21 Envase tipo carrete ₡1 446,89 ₡1 415,67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	28 A	110 mOhms	25 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C	210 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package STD13N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡1 285,55 3 052En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD13N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STD13N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	3 052En existencias	Cinta cortada ₡1 285,55 ₡629,76 ₡567,31 ₡449,68 ₡425,22 Envase tipo carrete ₡386,71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	310 mOhms	25 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag STF10N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡1 233,50 1 740En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF10N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF10N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1 740En existencias	₡1 233,50 ₡598,54 ₡541,28 ₡428,34 Ver ₡405,44 ₡378,38 ₡364,33	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	440 mOhms	25 V	3 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa STF35N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡3 362,21 518En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF35N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF35N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	518En existencias	₡3 362,21 ₡1 779,99 ₡1 629,06 ₡1 420,87	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	28 A	110 mOhms	25 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 STL33N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡3 070,75 1 380En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL33N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STL33N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1 380En existencias	Cinta cortada ₡3 070,75 ₡1 613,44 ₡1 472,92 ₡1 332,39 ₡1 259,53 Envase tipo carrete ₡1 259,53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	115 mOhms	25 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag STF24N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡2 009,00 1 022En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF24N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF24N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1 022En existencias	₡2 009,00 ₡1 145,02 ₡916,02 ₡770,29 Ver ₡707,83 ₡692,22	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	175 mOhms	25 V	3 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package STD12N50DM2 STMicroelectronics 1: ₡1 301,16 1 078En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD12N50DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STD12N50DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1 078En existencias	Cinta cortada ₡1 301,16 ₡634,97 ₡572,51 ₡455,93 ₡442,40 Envase tipo carrete ₡392,95 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	11 A	350 mOhms	25 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag STF43N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡3 393,43 1 240En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF43N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF43N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1 240En existencias	₡3 393,43 ₡1 800,81 ₡1 644,67 ₡1 436,48	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	93 mOhms	25 V	3 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 STL13N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡1 550,99 1 985En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL13N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STL13N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1 985En existencias	Cinta cortada ₡1 550,99 ₡770,29 ₡692,22 ₡556,90 ₡536,08 Envase tipo carrete ₡491,84 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-8	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	350 mOhms	25 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package STW43N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡4 476,00 785En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW43N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STW43N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	785En existencias	₡4 476,00 ₡2 378,53 ₡2 191,16 ₡2 081,86	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	93 mOhms	25 V	3 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package STW70N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡6 099,85 581En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW70N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STW70N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	581En existencias	₡6 099,85 ₡3 882,67 ₡3 388,23 ₡3 112,38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	66 A	42 mOhms	25 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package STB24N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡2 133,91 847Se espera el 30/4/2027	N.º de artículo del Fabricante STB24N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STB24N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	847Se espera el 30/4/2027	Cinta cortada ₡2 133,91 ₡1 269,94 ₡957,66 ₡791,11 Envase tipo carrete ₡739,06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	200 mOhms	25 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	FDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package STB28N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡2 430,57 62En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB28N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STB28N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	62En existencias	Cinta cortada ₡2 430,57 ₡1 290,75 ₡1 171,05 ₡999,29 Envase tipo carrete ₡869,18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	130 mOhms	25 V	3 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package STD5N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡749,47 1 098En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD5N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STD5N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	1 098En existencias	Cinta cortada ₡749,47 ₡351,31 ₡312,28 ₡266,48 Envase tipo carrete ₡188,93 Ver ₡248,78 ₡173,31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	3.5 A	1.38 Ohms	30 V	3 V	8.6 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack STF12N50DM2 STMicroelectronics 1: ₡1 498,94 94En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF12N50DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF12N50DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	94En existencias	₡1 498,94 ₡739,06 ₡666,20 ₡536,08 Ver ₡502,77 ₡485,59 ₡475,71	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	11 A	299 mOhms	25 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack STF13N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡1 514,55 807En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF13N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF13N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	807En existencias	₡1 514,55 ₡754,67 ₡666,20 ₡562,10 Ver ₡520,47 ₡503,29 ₡468,42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	310 mOhms	25 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa STF28N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡2 321,28 431En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF28N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF28N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	431En existencias	₡2 321,28 ₡1 186,66 ₡1 077,36 ₡884,79 ₡858,77	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	130 mOhms	25 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack STF33N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡2 753,26 72En existencias 2 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante STF33N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STF33N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	72En existencias 2 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STF33N60DM2 Existencias: 72 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1 000 Se espera el 30/4/2027 1 000 Se espera el 5/11/2027 Plazo de entrega de fábrica: 36 Semanas	₡2 753,26 ₡1 431,28 ₡1 301,16 ₡1 077,36 Ver ₡1 072,16 ₡1 051,34	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	24 A	110 mOhms	25 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 STP24N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡2 217,18 610En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP24N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STP24N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	610En existencias	₡2 217,18 ₡1 129,41 ₡1 025,32 ₡843,15 Ver ₡837,95 ₡832,74	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	200 mOhms	25 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package STP33N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡2 711,62 684En existencias 1 000Se espera el 28/5/2027	N.º de artículo del Fabricante STP33N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STP33N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	684En existencias 1 000Se espera el 28/5/2027	₡2 711,62 ₡1 410,46 ₡1 280,34 ₡1 259,53 ₡1 061,75	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	130 mOhms	25 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 STW24N60DM2 STMicroelectronics 1: ₡2 435,78 325En existencias 600Se espera el 23/4/2027	N.º de artículo del Fabricante STW24N60DM2 N.º de artículo de Mouser 511-STW24N60DM2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Hoja de datos	325En existencias 600Se espera el 23/4/2027	₡2 435,78 ₡1 223,09 ₡1 113,80 ₡936,84 ₡931,63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	200 mOhms	25 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	FDmesh	Tube

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte