IGBTs TO264 1200V 110A GENX4
IXYK110N120A4
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IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
IXYA50N65C5
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Módulos MOSFET 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET
IXFN52N100X
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Módulos MOSFET 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 300V 0.033 Rds
IXTK102N30P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 1500V
IXTK8N150L
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 1500V
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Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXTN550N055T2
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IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
IXYA55N65B5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
IXFK32N100X
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1200V 20 Rds
IXTP1N120P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1200V 20 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
IXFX52N100X
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
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IXTF1R4N450
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
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Módulos MOSFET 62 Amps 500V
IXTN62N50L
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Módulos MOSFET 62 Amps 500V
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IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
IXYH100N65C5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
IXTA12N50P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
IXTT10N100D2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Fusibles de montaje en superficie 2.5A 32V FAST ACTING FUSE AEC-Q200
043802.5WRA
Littelfuse
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576-043802.5WRA
Littelfuse
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IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
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IXBX25N250
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N.º de artículo de Mouser
747-IXBX25N250
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IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
IXFH120N25X3
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
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Módulos MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds
IXFN44N100P
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N.º de artículo de Mouser
747-IXFN44N100P
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Módulos MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
IXFT24N90P
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N.º de artículo de Mouser
747-IXFT24N90P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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Embalaje alternativo
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
IXTA2R4N120P
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₡4 923,60
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N.º de artículo de Mouser
747-IXTA2R4N120P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
793 En existencias
Embalaje alternativo
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
IXTA3N50D2
IXYS
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N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N50D2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
3 648 En existencias
Embalaje alternativo
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₡3 762,96
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
IXTA60N20X4
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₡7 364,59
502 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA60N20X4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
502 En existencias
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₡7 364,59
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL
IXTA6N100D2HV
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1:
₡10 596,68
679 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2HV
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL
679 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 28 Amps 65V 0.045 Rds
IXTP28P065T
IXYS
1:
₡2 805,31
1 083 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTP28P065T
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 28 Amps 65V 0.045 Rds
1 083 En existencias
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₡2 805,31
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₡1 509,35
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