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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

IXFT44N50P
IXYS
1: ₡8 608,50
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT44N50P

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747-IXFT44N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

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300En existencias

₡8 608,50

₡4 897,58

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

IXFX80N50Q3
IXYS
1: ₡20 641,66
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX80N50Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N50Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

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₡20 641,66

₡14 890,52

₡14 427,30

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX80N60P3
IXYS
1: ₡12 605,67
207En existencias

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IXFX80N60P3

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747-IXFX80N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

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207En existencias

₡12 605,67

₡7 989,14

Min.: 1
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IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds

IXGH50N90B2D1
IXYS
1: ₡10 232,35
299En existencias

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IXGH50N90B2D1

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH50N90B2D1

IXYS

IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds

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₡10 232,35

₡6 391,32

₡6 193,54

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IGBTs 320 Amps 600V

IXGN320N60A3
IXYS
1: ₡27 079,81
149En existencias

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IXGN320N60A3

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747-IXGN320N60A3

IXYS

IGBTs 320 Amps 600V

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₡27 079,81

₡21 614,93

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IGBTs 30 Amps 1200V

IXGP30N120B3
IXYS
1: ₡6 630,73
295En existencias

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IXGP30N120B3

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747-IXGP30N120B3

IXYS

IGBTs 30 Amps 1200V

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₡6 630,73

₡3 747,35

₡3 533,96

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds

IXTH22N50P
IXYS
1: ₡4 512,44
566En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH22N50P

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747-IXTH22N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds

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566En existencias

₡4 512,44

₡2 836,54

₡2 227,59

₡2 107,88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds

IXTP86N20T
IXYS
1: ₡4 241,79
679En existencias

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IXTP86N20T

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747-IXTP86N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds

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₡4 241,79

₡2 295,25

₡2 061,04

₡1 941,34

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

IXTT140N10P
IXYS
1: ₡7 656,05
328En existencias

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IXTT140N10P

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747-IXTT140N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

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328En existencias

₡7 656,05

₡4 299,04

₡4 205,36

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IGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode

IXYH10N170CV1
IXYS
1: ₡8 873,94
376En existencias

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IXYH10N170CV1

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747-IXYH10N170CV1

IXYS

IGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode

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376En existencias

₡8 873,94

₡5 470,09

₡5 157,81

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IGBTs 1700V/58A High Volt

IXYH24N170C
IXYS
1: ₡9 446,45
269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH24N170C

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747-IXYH24N170C

IXYS

IGBTs 1700V/58A High Volt

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269En existencias

₡9 446,45

₡5 855,24

₡5 308,75

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IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT

IXYH40N120C3D1
IXYS
1: ₡7 973,53
271En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH40N120C3D1

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747-IXYH40N120C3D1

IXYS

IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT

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271En existencias

₡7 973,53

₡4 871,56

₡4 491,62

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT

IXYH40N90C3D1
IXYS
1: ₡7 333,36
393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH40N90C3D1

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH40N90C3D1

IXYS

IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT

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393En existencias

₡7 333,36

₡4 449,98

₡4 028,40

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT

IXYP30N120C3
IXYS
1: ₡4 819,51
553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYP30N120C3

N.º de artículo de Mouser
747-IXYP30N120C3

IXYS

IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT

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553En existencias

₡4 819,51

₡2 753,26

₡2 404,55

₡2 253,62

₡2 191,16

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked

IXYX25N250CV1HV
IXYS
1: ₡37 629,65
174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYX25N250CV1HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXYX25N250CV1HV

IXYS

IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked

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174En existencias

₡37 629,65

₡31 456,93

Min.: 1
Mult.: 1

Fusibles de montaje en superficie 3.5A 32V FAST ACTING FUSE AEC-Q200

043803.5WRA
Littelfuse
1: ₡890,00
3 069En existencias

N.º de artículo del Fabricante
043803.5WRA

N.º de artículo de Mouser
576-043803.5WRA

Littelfuse

Fusibles de montaje en superficie 3.5A 32V FAST ACTING FUSE AEC-Q200

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Cinta cortada

₡890,00

₡785,90

₡749,47

₡603,74

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Envase tipo carrete

₡359,12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Interruptores de botón - Montaje en placa Switch Pb Spdt .4Va Solder Lug

8125SYZBE
C&K
1: ₡6 443,36
179En existencias

N.º de artículo del Fabricante
8125SYZBE

N.º de artículo de Mouser
611-8125SYZBE

C&K

Interruptores de botón - Montaje en placa Switch Pb Spdt .4Va Solder Lug

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179En existencias

₡6 443,36

₡5 574,18

₡5 267,11

₡5 032,90

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Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A

IXBX75N170
IXYS
1: ₡41 871,44
310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXBX75N170

N.º de artículo de Mouser
747-IXBX75N170

IXYS

IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A

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310En existencias

₡41 871,44

₡35 802,81

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFH20N85X
IXYS
1: ₡6 776,46
277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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277En existencias

₡6 776,46

₡3 757,76

₡3 591,21

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

IXFH6N120P
IXYS
1: ₡7 609,20
187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

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187En existencias

₡7 609,20

₡4 267,82

₡4 174,13

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds

IXFH74N20P
IXYS
1: ₡4 600,91
528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH74N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH74N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds

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528En existencias

₡4 600,91

₡2 966,65

₡2 716,83

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247

IXFH90N65X3
IXYS
1: ₡11 445,03
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH90N65X3

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747-IXFH90N65X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247

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₡11 445,03

₡7 057,51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFH94N30P3
IXYS
1: ₡8 801,07
276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH94N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH94N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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₡8 801,07

₡5 038,11

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

IXFK26N120P
IXYS
1: ₡23 061,82
246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK26N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK26N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

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246En existencias

₡23 061,82

₡17 050,45

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

IXFK32N100P
IXYS
1: ₡15 832,56
275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

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275En existencias

₡15 832,56

₡10 659,13

Min.: 1
Mult.: 1

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