Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level FQD19N10LTM onsemi 1: ₡999,29 29 970En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD19N10LTM N.º de artículo de Mouser 512-FQD19N10LTM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level	Hoja de datos	29 970En existencias	Cinta cortada ₡999,29 ₡624,56 ₡411,17 ₡326,33 Envase tipo carrete ₡264,92 Ver ₡289,90 ₡255,03 ₡253,99 ₡245,66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	15.6 A	100 mOhms	20 V	1 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series FQD18N20V2TM onsemi 1: ₡1 181,46 21 488En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD18N20V2TM N.º de artículo de Mouser 512-FQD18N20V2TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series	Hoja de datos	21 488En existencias	Cinta cortada ₡1 181,46 ₡749,47 ₡504,33 ₡478,83 Envase tipo carrete ₡478,31 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	15 A	140 mOhms	30 V	3 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET FQB34P10TM onsemi 1: ₡2 388,94 8 596En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQB34P10TM N.º de artículo de Mouser 512-FQB34P10TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET	Hoja de datos	8 596En existencias	Cinta cortada ₡2 388,94 ₡1 566,60 ₡1 165,84 ₡978,47 Envase tipo carrete ₡905,61 ₡853,56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	P-Channel	1 Channel	100 V	33.5 A	60 mOhms	25 V	4 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	3.75 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET FDMC2523P onsemi 1: ₡1 410,46 5 037En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDMC2523P N.º de artículo de Mouser 512-FDMC2523P	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET	Hoja de datos	5 037En existencias	Cinta cortada ₡1 410,46 ₡905,61 ₡614,15 ₡520,47 Envase tipo carrete ₡438,23 Ver ₡463,21 ₡415,85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	Power-33-8	P-Channel	1 Channel	150 V	3 A	1.5 Ohms	30 V	5 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	42 W	Enhancement	QFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET FQD2N60CTM onsemi 1: ₡931,63 18 378En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD2N60CTM N.º de artículo de Mouser 512-FQD2N60CTM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET	Hoja de datos	18 378En existencias	Cinta cortada ₡931,63 ₡577,72 ₡380,46 ₡298,75 Envase tipo carrete ₡231,61 Ver ₡255,55 ₡205,58 ₡198,30 ₡192,57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	1.9 A	3.6 Ohms	30 V	2 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET FQD7P20TM onsemi 1: ₡1 113,80 14 134En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD7P20TM N.º de artículo de Mouser 512-FQD7P20TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET	Hoja de datos	14 134En existencias	Cinta cortada ₡1 113,80 ₡697,42 ₡460,09 ₡364,85 Envase tipo carrete ₡296,67 Ver ₡324,25 ₡285,22 ₡275,33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	200 V	5.7 A	690 mOhms	30 V	5 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET FQD8P10TM onsemi 1: ₡817,13 12 737En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD8P10TM N.º de artículo de Mouser 512-FQD8P10TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET	Hoja de datos	12 737En existencias	Cinta cortada ₡817,13 ₡504,33 ₡332,06 ₡260,75 Envase tipo carrete ₡201,94 Ver ₡222,76 ₡179,04 ₡173,31 ₡168,11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	100 V	6.6 A	530 mOhms	30 V	4 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET FQPF19N20C onsemi 1: ₡1 426,08 3 419En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQPF19N20C N.º de artículo de Mouser 512-FQPF19N20C	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET	Hoja de datos	3 419En existencias	₡1 426,08 ₡916,02 ₡671,40 ₡660,99 Ver ₡469,46 ₡441,35 ₡436,67	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	19 A	170 mOhms	30 V	2 V	53 nC	- 55 C	+ 150 C	43 W	Enhancement	QFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET FQAF11N90C onsemi 1: ₡3 060,34 225En existencias Pedido especial de fábrica	N.º de artículo del Fabricante FQAF11N90C N.º de artículo de Mouser 512-FQAF11N90C Pedido especial de fábrica	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET Obtenga más información sobre onsemi fairchild cloud power management	Hoja de datos	225En existencias	₡3 060,34 ₡1 738,35 ₡1 733,15 Ver ₡1 618,65 ₡1 519,76 ₡1 483,33 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	900 V	7.2 A	1.1 Ohms	30 V	3 V	80 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement	QFET	Tube

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