MOSFET de potencia Gold (G7) C7 CoolMOS™

Los MOSFET de potencia Gold C7 (G7) CoolMOS™ de Infineon Technologies están incluidos en el nuevo paquete SMD TO sin plomo (TOLL) utilizando el concepto de fórmula Kelvin. Los MOSFET G7 combinan la tecnología CoolMOS™ G7 mejorada de 600 V a 650 V, capacidad de fuente Kelvin de 4 pines y las propiedades térmicas mejoradas del paquete TO sin plomo. Esto permite una solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente, como corrección de factor de potencia (PFC) de hasta 3 kW. Para el CoolMOS™ G7 de 600 V, los MOSFET se pueden utilizar para circuitos resonantes, como LCC de alta gama.

Resultados: 12
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 133En existencias
Cinta cortada
₡4 101,27
₡2 211,98
₡2 029,82
₡1 847,65
Envase tipo carrete
₡1 847,65
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 700
Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
Hoja de datos
1 485En existencias
Cinta cortada
₡1 519,76
₡832,74
₡723,45
₡608,94
₡582,92
Envase tipo carrete
₡551,69
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
Hoja de datos
1 350En existencias
2 000En pedido
Cinta cortada
₡9 966,91
₡6 334,06
₡6 318,45
₡5 974,94
₡5 657,46
Envase tipo carrete
₡5 657,46
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3 216En existencias
Cinta cortada
₡5 532,55
₡3 070,75
₡2 909,40
₡2 748,06
Envase tipo carrete
₡2 748,06
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
Hoja de datos
967En existencias
Cinta cortada
₡3 148,82
₡1 655,08
₡1 514,55
₡1 379,23
₡1 316,78
Envase tipo carrete
₡1 301,16
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
23En existencias
2 000Se espera el 1/4/2027
Cinta cortada
₡5 922,90
₡3 669,28
₡3 226,89
₡2 945,83
₡2 784,49
Envase tipo carrete
₡2 784,49
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
40En existencias
2 000Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
₡4 148,11
₡2 503,44
₡2 123,50
₡1 951,75
Envase tipo carrete
₡1 738,35
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 700Se espera el 3/6/2027
Cinta cortada
₡5 688,69
₡3 164,43
₡3 013,49
₡2 852,15
Envase tipo carrete
₡2 852,15
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 700
Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3 400Se espera el 10/12/2026
Cinta cortada
₡1 956,95
₡988,88
₡895,20
₡728,65
₡681,81
Envase tipo carrete
₡681,81
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 700
Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
₡1 233,50
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Envase tipo carrete
₡780,70
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Cinta cortada
₡2 774,08
₡2 669,99
Envase tipo carrete
₡1 108,59
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape