Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 116

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 753,97 4 600En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R360P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R360P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4 600En existencias	Cinta cortada ₡1 753,97 ₡879,59 ₡791,11 ₡640,17 ₡624,56 Envase tipo carrete ₡588,13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	13 A	310 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡4 200,16 3 413En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R065P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R065P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3 413En existencias	Cinta cortada ₡4 200,16 ₡2 279,64 ₡2 092,27 ₡2 035,02 ₡1 920,52 Envase tipo carrete ₡1 920,52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	53 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡994,09 5 586En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5 586En existencias	Cinta cortada ₡994,09 ₡475,71 ₡425,22 ₡335,70 ₡316,44 Envase tipo carrete ₡271,16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡890,00 4 850En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R600P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4 850En existencias	₡890,00 ₡421,06 ₡375,26 ₡298,75 Ver ₡238,37 ₡236,81	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	490 mOhms	30 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡723,45 9 128En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	9 128En existencias	Cinta cortada ₡723,45 ₡339,34 ₡301,87 ₡235,25 Envase tipo carrete ₡188,41 Ver ₡229,53 ₡174,88	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	2.5 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 129,41 4 448En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R750P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R750P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4 448En existencias	Cinta cortada ₡1 129,41 ₡546,49 ₡487,68 ₡387,75 ₡359,64 Envase tipo carrete ₡322,69	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	640 mOhms	20 V	2.5 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	51 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R900P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 046,14 7 426En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R900P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R900P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7 426En existencias	Cinta cortada ₡1 046,14 ₡502,77 ₡449,16 ₡356,00 ₡339,34 Envase tipo carrete ₡290,94	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	770 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R099P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 779,29 1 132En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R099P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 132En existencias	Cinta cortada ₡2 779,29 ₡1 467,71 ₡1 295,96 ₡1 165,84 Envase tipo carrete ₡1 030,52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	117 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡931,63 8 670En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8 670En existencias	Cinta cortada ₡931,63 ₡442,92 ₡395,03 ₡311,24 Envase tipo carrete ₡252,95 Ver ₡288,34 ₡247,22	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4.5 A	1 Ohms	20 V	2.5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 674,49 3 460En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3 460En existencias	₡3 674,49 ₡1 915,31 ₡1 753,97 ₡1 597,83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 139,82 3 868En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3 868En existencias	Cinta cortada ₡1 139,82 ₡551,69 ₡491,84 ₡390,87 ₡362,76 Envase tipo carrete ₡325,81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R900P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 181,46 1 216En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R900P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R900P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 216En existencias	₡1 181,46 ₡572,51 ₡512,14 ₡391,39 Ver ₡356,52 ₡343,51	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	770 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡905,61 2 467En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2 467En existencias	Cinta cortada ₡905,61 ₡429,90 ₡363,28 ₡299,27 Envase tipo carrete ₡246,70 Ver ₡277,41 ₡237,85	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	490 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡749,47 2 881En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2 881En existencias	Cinta cortada ₡749,47 ₡438,75 ₡374,21 ₡297,19 Envase tipo carrete ₡237,33 Ver ₡263,88 ₡226,40	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.4 Ohms	30 V	3 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 056,54 1 411En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R900P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R900P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 411En existencias	₡1 056,54 ₡473,62 ₡425,22 ₡356,00 Ver ₡330,50 ₡329,98 ₡302,39	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R360P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 816,42 734En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R360P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R360P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	734En existencias	₡1 816,42 ₡910,81 ₡822,34 ₡655,79 ₡634,97	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	13 A	310 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 046,14 1 649En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R360P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 649En existencias	₡1 046,14 ₡501,73 ₡448,64 ₡367,97 Ver ₡314,88 ₡306,03 ₡290,42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	12.5 A	300 mOhms	30 V	2.5 V	16.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.5 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 116,17 220En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZA60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA60R045P7XKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	220En existencias	₡5 116,17 ₡2 758,47 ₡2 545,08 ₡2 482,62	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 566,60 1 444En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R450P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R450P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 444En existencias	₡1 566,60 ₡775,49 ₡614,15 ₡518,90 Ver ₡515,26 ₡505,37	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	450 mOhms	30 V	3 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R600P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 384,44 1 353En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R600P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R600P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 353En existencias	₡1 384,44 ₡681,81 ₡608,94 ₡477,79 Ver ₡442,92 ₡426,78	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	510 mOhms	20 V	2.5 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡890,00 2 007En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPN95R2K0P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R2K0P7ATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2 007En existencias	Cinta cortada ₡890,00 ₡421,06 ₡375,26 ₡294,58 Envase tipo carrete ₡242,02 Ver ₡282,09 ₡226,40 ₡218,60 ₡214,43	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡874,38 2 815En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPN80R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN80R1K2P7ATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW	Hoja de datos	2 815En existencias	Cinta cortada ₡874,38 ₡413,77 ₡369,01 ₡289,90 Envase tipo carrete ₡240,46 Ver ₡263,88 ₡231,61 ₡226,40	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4.5 A	1 Ohms	30 V	3 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	6.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡853,56 56 328En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA70R600P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	56 328En existencias	₡853,56 ₡402,84 ₡358,60 ₡294,06 Ver ₡224,84 ₡218,60	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	600 mOhms	16 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡4 356,30 4 698En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R045P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R045P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4 698En existencias	Cinta cortada ₡4 356,30 ₡2 914,61 ₡1 998,59 ₡1 972,56 Envase tipo carrete ₡1 936,13 Ver ₡1 894,49 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	120 V	61 A	45 mOhms	20 V	1.7 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 763,67 7 191En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R105P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R105P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7 191En existencias	Cinta cortada ₡2 763,67 ₡1 452,10 ₡1 321,98 ₡1 171,05 Envase tipo carrete ₡1 103,39	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	33 A	85 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 40 C	+ 150 C	137 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape