Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 447
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 1 866En existencias
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Máx.: 1 000
: 1 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V 7 156En existencias
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Máx.: 580

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 6 775En existencias
Min.: 1
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Máx.: 250

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 4 870En existencias
4 000Se espera el 23/7/2027
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Máx.: 300

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V 5 954En existencias
4 000Se espera el 31/8/2026
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Máx.: 690
: 4 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V 3 011En existencias
Min.: 1
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Máx.: 150
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V 4 205En existencias
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Máx.: 210
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V 6 839En existencias
12 000Se espera el 13/8/2027
Min.: 1
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Máx.: 350

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V 7 846En existencias
8 000Se espera el 9/7/2027
Min.: 1
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Máx.: 370

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ 3 031En existencias
2 000Se espera el 4/11/2026
Min.: 1
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Máx.: 1 000
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 45V 985En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 350
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Comp Dual ENH Low On-Resistance 17En existencias
Min.: 1
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: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K 1 450En existencias
2 500Se espera el 26/2/2027
Min.: 1
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Máx.: 330
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS 1 943En existencias
3 000Se espera el 28/8/2026
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V 53En existencias
18 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 3 000
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A 153En existencias
7 500En pedido
Min.: 1
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: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A 4 233En existencias
Min.: 1
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF 1 780En existencias
Min.: 1
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: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V T/R 64En existencias
2 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 200
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100 V 2 606En existencias
33 000En pedido
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Máx.: 740
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 1 861En existencias
Min.: 1
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Máx.: 140
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 401En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche 1 181En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 90
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 1 737En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 250V 2 817En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 1 000