Semiconductores – Mouser Costa Rica

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMN10H700S-7
Diodes Incorporated
1: ₡291,46
403En existencias
6 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H700S-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H700S-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

Hoja de datos

403En existencias

6 000En pedido

Cinta cortada

₡291,46

₡171,75

₡121,27

₡86,92

₡75,99

Envase tipo carrete

₡53,09

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 3 000

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC

DMN1260UFA-7B
Diodes Incorporated
1: ₡244,62
1 959En existencias
10 000Se espera el 31/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN1260UFA-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMN1260UFA-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC

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1 959En existencias

10 000Se espera el 31/8/2026

Cinta cortada

₡244,62

₡108,78

₡94,72

₡82,23

₡72,34

Envase tipo carrete

₡72,34

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: 10 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

DMN13H750S-7
Diodes Incorporated
1: ₡541,28
2 167En existencias
9 000Se espera el 19/5/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN13H750S-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN13H750S-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

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2 167En existencias

9 000Se espera el 19/5/2027

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₡541,28

₡326,85

₡230,05

₡202,98

Envase tipo carrete

₡120,23

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: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 046,14
251En existencias
2 500Se espera el 30/7/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN15H310SE-13

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621-DMN15H310SE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

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251En existencias

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₡1 046,14

₡530,87

₡431,99

₡342,47

Envase tipo carrete

₡274,29

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: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel

DMN2004DWK-7
Diodes Incorporated
1: ₡400,76
6 165En existencias
21 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN2004DWK-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2004DWK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel

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6 165En existencias

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₡400,76

₡180,08

₡158,22

₡155,62

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₡155,62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 540mA

DMN2004K-7
Diodes Incorporated
1: ₡322,69
339En existencias
81 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN2004K-7

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621-DMN2004K-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 540mA

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81 000En pedido

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₡322,69

₡193,09

₡135,32

₡101,49

₡83,79

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₡59,33

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: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 540mA

DMN2004VK-7
Diodes Incorporated
1: ₡411,17
780En existencias
9 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN2004VK-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2004VK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 540mA

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₡411,17

₡184,24

₡161,86

₡136,36

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₡136,36

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K

DMN2004VK-7B
Diodes Incorporated
1: ₡223,80
5 785En existencias

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DMN2004VK-7B

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621-DMN2004VK-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K

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₡223,80

₡98,89

₡86,40

₡77,55

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₡33,31

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: 8 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel

DMN2005DLP4K-7
Diodes Incorporated
1: ₡551,69
1 036En existencias
3 000Se espera el 16/7/2027

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DMN2005DLP4K-7

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621-DMN2005DLP4K-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel

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3 000Se espera el 16/7/2027

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₡551,69

₡337,78

₡234,73

₡173,31

₡166,03

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₡96,29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 200mA

DMN2005LPK-7
Diodes Incorporated
1: ₡317,48
5 010En existencias

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DMN2005LPK-7

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621-DMN2005LPK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 200mA

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₡125,43

₡123,35

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₡70,78

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: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

DMN2005UFG-13
Diodes Incorporated
1: ₡707,83
94En existencias
3 000Se espera el 14/7/2027

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DMN2005UFG-13

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621-DMN2005UFG-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

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3 000Se espera el 14/7/2027

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₡707,83

₡387,75

₡289,38

₡227,44

₡199,86

Envase tipo carrete

₡174,36

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: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC

DMN2005UFG-7
Diodes Incorporated
1: ₡681,81
895En existencias
2 000Se espera el 25/11/2026

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DMN2005UFG-7

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621-DMN2005UFG-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC

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895En existencias

2 000Se espera el 25/11/2026

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₡681,81

₡372,65

₡277,41

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₡277,41

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Máx.: 350

: 2 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMN2009USS-13
Diodes Incorporated
1: ₡588,13
222En existencias
2 500Se espera el 28/7/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN2009USS-13

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621-DMN2009USS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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222En existencias

2 500Se espera el 28/7/2027

Cinta cortada

₡588,13

₡316,96

₡235,77

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₡235,77

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMN2011UTS-13
Diodes Incorporated
1: ₡510,06
2 310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2011UTS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2011UTS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Hoja de datos

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Cinta cortada

₡510,06

₡232,13

₡213,39

₡208,71

Envase tipo carrete

₡124,39

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMN2013UFDE-7
Diodes Incorporated
1: ₡588,13
361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2013UFDE-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2013UFDE-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

Hoja de datos

361En existencias

Cinta cortada

₡588,13

₡419,50

₡333,62

₡207,15

₡173,84

Envase tipo carrete

₡123,87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMN2015UFDE-7
Diodes Incorporated
1: ₡478,83
2 385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2015UFDE-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2015UFDE-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

Hoja de datos

2 385En existencias

Cinta cortada

₡478,83

₡298,75

₡194,13

₡148,85

Envase tipo carrete

₡115,02

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMN2015UFDF-7
Diodes Incorporated
1: ₡421,58
2 011En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2015UFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2015UFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Hoja de datos

2 011En existencias

Cinta cortada

₡421,58

₡191,01

₡168,11

₡149,89

Envase tipo carrete

₡97,85

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH MOSFET 20V

DMN2016LHAB-7
Diodes Incorporated
1: ₡556,90
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMN2016LHAB-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2016LHAB-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH MOSFET 20V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Cinta cortada

₡556,90

₡254,51

₡224,84

₡210,79

Envase tipo carrete

₡134,28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS

DMN2016UTS-13
Diodes Incorporated
1: ₡593,33
151En existencias
5 000Se espera el 12/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN2016UTS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2016UTS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS

Hoja de datos

151En existencias

5 000Se espera el 12/2/2027

Cinta cortada

₡593,33

₡317,48

₡228,48

Envase tipo carrete

₡228,48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 390

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5

DMN2019UTS-13
Diodes Incorporated
1: ₡395,55
4 299En existencias
5 000Se espera el 16/7/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN2019UTS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2019UTS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5

Hoja de datos

4 299En existencias

5 000Se espera el 16/7/2027

Cinta cortada

₡395,55

₡179,04

₡157,70

₡138,96

Envase tipo carrete

₡93,68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL

DMN2020LSN-7
Diodes Incorporated
1: ₡431,99
5 295En existencias
33 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN2020LSN-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2020LSN-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL

Hoja de datos

5 295En existencias

33 000En pedido

Cinta cortada

₡431,99

₡194,13

₡170,71

₡146,25

₡107,74

Envase tipo carrete

₡82,23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

DMN2022UFDF-7
Diodes Incorporated
1: ₡541,28
465En existencias
3 000Se espera el 4/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN2022UFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2022UFDF7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

Hoja de datos

465En existencias

3 000Se espera el 4/9/2026

Cinta cortada

₡541,28

₡326,33

₡227,96

₡170,19

₡144,17

Envase tipo carrete

₡85,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF

DMN2023UCB4-7
Diodes Incorporated
1: ₡645,38
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2023UCB4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2023UCB4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF

Hoja de datos

35En existencias

Cinta cortada

₡645,38

₡335,70

₡262,84

Envase tipo carrete

₡149,89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMN2024UFDF-7
Diodes Incorporated
1: ₡421,58
73En existencias
3 000Se espera el 31/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN2024UFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2024UFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Hoja de datos

73En existencias

3 000Se espera el 31/8/2026

Cinta cortada

₡421,58

₡254,51

₡177,48

₡132,20

Envase tipo carrete

₡132,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 700

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMN2024UTS-13
Diodes Incorporated
1: ₡437,19
1 268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2024UTS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2024UTS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Hoja de datos

1 268En existencias

Cinta cortada

₡437,19

₡272,20

₡175,92

₡134,28

Envase tipo carrete

₡106,17

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

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