Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
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681En existencias
4 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
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223En existencias
2 500Se espera el 19/2/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
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826En existencias
2 500Se espera el 26/11/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
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2 075En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 SO-8,2.5K
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3 782En existencias
5 000Se espera el 15/1/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 40V 20Vgss 20A
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2 117En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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313En existencias
18 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
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199En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K
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479En existencias
18 000Se espera el 2/7/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHAN ENHNCMNT MODE
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2 865En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHAN ENHNCMNT MODE
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4 127En existencias
5 000Se espera el 5/3/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K
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4 431En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
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199En existencias
30 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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9 104En existencias
126 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
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426En existencias
90 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
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17 483En existencias
20 000Se espera el 29/1/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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24 918En existencias
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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5 624En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel
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6 883En existencias
6 000Se espera el 9/7/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel
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473En existencias
24 000En pedido
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel
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2 907En existencias
6 000Se espera el 5/7/2027
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel
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274En existencias
39 000En pedido
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Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
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2 129En existencias
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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1 820En existencias
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: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A
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2 259En existencias
2 500Se espera el 31/8/2026
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