Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
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363En existencias
30 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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10En existencias
5 000Se espera el 17/9/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
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539En existencias
35 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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1 123En existencias
2 500Se espera el 19/3/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
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337En existencias
12 500Se espera el 15/1/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
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114En existencias
21 000Se espera el 19/10/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs
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485En existencias
7 500En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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2 947En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
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400En existencias
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: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1 699En existencias
2 500Se espera el 28/8/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1 080En existencias
2 500Se espera el 12/2/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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777En existencias
3 000Se espera el 15/10/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1 966En existencias
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: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1 653En existencias
3 000Se espera el 20/8/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
28En existencias
2 000Se espera el 15/1/2027
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Máx.: 290
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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2 740En existencias
22 000Se espera el 19/3/2027
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: 2 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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450En existencias
45 000En pedido
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Máx.: 2 500
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K
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9 898En existencias
10 000Se espera el 20/8/2027
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Máx.: 700
: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
Hoja de datos
385En existencias
21 000En pedido
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Máx.: 720
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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904En existencias
20 000En pedido
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Máx.: 510
: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Fet w/Int Schottky -20Vbr 20Vr
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4 172En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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22En existencias
4 000En pedido
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Min.: 1
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Máx.: 2 000
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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2 011En existencias
2 500Se espera el 31/8/2026
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Máx.: 180
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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2 405En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V
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782En existencias
7 500Se espera el 30/7/2027
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Máx.: 480
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