Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 445
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET 5En existencias
17 772En pedido
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K 5En existencias
80 000Se espera el 21/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10 000
: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
65 508En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 430
: 3 000

Diodes Incorporated Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Self-Protect 60V Sw
112 726Se espera el 4/11/2026
Min.: 1
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Máx.: 2 000
: 1 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon
217 246En pedido
Min.: 1
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Máx.: 9 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 180V H-Voltage PNP Switching Transistor 5En existencias
8 000Se espera el 23/4/2027
Min.: 1
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Máx.: 1 000
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
140 539En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
351 140En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT23 T&R 3K
471 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
621 095En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -50V 200mW
298 124En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 16En existencias
18 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET 2En existencias
5 000En pedido
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Máx.: 480
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
468 216En pedido
Min.: 1
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Máx.: 10 000
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
163 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 12 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
47 490Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 12En existencias
3 000Se espera el 31/8/2026
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Máx.: 700
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K 13En existencias
21 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
176 950En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 5En existencias
9 000Se espera el 23/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA 11En existencias
9 000En pedido
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
260 897En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1616-6 T&R 3K 1En existencias
9 000Se espera el 1/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
108 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 740
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
33 450En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000