Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
DMN30H4D0LFDE-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
DMP2045UQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
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BS170FTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Self-Protect 60V Sw
BSP75NTA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Self-Protect 60V Sw
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon
DMP21D0UT-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 180V H-Voltage PNP Switching Transistor
FCX555TA
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522-FCX555TA
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 180V H-Voltage PNP Switching Transistor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
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ZXMN2F30FHTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
BSS123WQ-7-F
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621-BSS123WQ-7-F
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
351 140 En pedido
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT23 T&R 3K
BSS138K-7
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621-BSS138K-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT23 T&R 3K
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₡171,75
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3 000
₡31,75
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
BSS138W-7-F
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1:
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621-BSS138W-F
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
621 095 En pedido
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387 000 Se espera el 19/3/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -50V 200mW
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BSS84DW-7-F
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1:
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621-BSS84DW-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -50V 200mW
298 124 En pedido
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111 000 Se espera el 19/2/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
BSS84Q-7-F
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621-BSS84Q-7-F
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
16 En existencias
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9 000 Se espera el 15/1/2027
9 000 Se espera el 5/2/2027
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1
₡187,37
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3 000
₡35,39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
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DMC3025LSD-13
Diodes Incorporated
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621-DMC3025LSD-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
2 En existencias
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2 500 Se espera el 4/9/2026
2 500 Se espera el 3/3/2027
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₡473,62
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₡282,09
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₡199,86
2 500
₡199,86
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2 500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
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DMG2305UX-13
Diodes Incorporated
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468 216 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMG2305UX-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
468 216 En pedido
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98 216 Se espera el 21/4/2027
370 000 Se espera el 21/5/2027
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1
₡234,21
10
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100
₡101,49
500
₡75,99
10 000
₡36,95
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMG3402LQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡458,01
163 500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMG3402LQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
163 500 En pedido
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34 500 Se espera el 21/1/2027
129 000 Se espera el 21/4/2027
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas
1
₡458,01
10
₡280,01
100
₡187,89
500
₡151,46
3 000
₡87,96
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Máx.: 12 000
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
+2 imágenes
DMHC4035LSD-13
Diodes Incorporated
1:
₡942,04
47 490 Se espera el 19/10/2026
N.º de artículo de Mouser
621-DMHC4035LSD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
47 490 Se espera el 19/10/2026
1
₡942,04
10
₡551,69
100
₡392,95
500
₡384,62
2 500
₡246,18
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMN2024UFDF-7
Diodes Incorporated
1:
₡421,58
12 En existencias
3 000 Se espera el 31/8/2026
N.º de artículo de Mouser
621-DMN2024UFDF-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
12 En existencias
3 000 Se espera el 31/8/2026
Embalaje alternativo
1
₡421,58
10
₡254,51
100
₡177,48
500
₡132,20
3 000
₡132,20
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 700
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
DMN2450UFB4-7R
Diodes Incorporated
1:
₡182,16
13 En existencias
21 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN2450UFB4-7R
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
13 En existencias
21 000 En pedido
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13 Se puede enviar inmediatamente
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6 000 Se espera el 31/3/2027
6 000 Se espera el 7/4/2027
9 000 Se espera el 14/4/2027
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40 Semanas
1
₡182,16
10
₡78,59
100
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500
₡57,25
3 000
₡30,71
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
+2 imágenes
DMN24H3D5L-7
Diodes Incorporated
1:
₡541,28
176 950 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN24H3D5L-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
176 950 En pedido
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2 950 Se espera el 16/9/2026
174 000 Se espera el 18/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas
1
₡541,28
10
₡326,85
100
₡230,05
500
₡202,98
3 000
₡120,23
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
+2 imágenes
DMN61D9UWQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡244,62
5 En existencias
9 000 Se espera el 23/6/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D9UWQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
5 En existencias
9 000 Se espera el 23/6/2027
Embalaje alternativo
1
₡244,62
10
₡129,08
100
₡86,40
500
₡78,59
3 000
₡43,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
DMN63D8LV-7
Diodes Incorporated
1:
₡202,98
11 En existencias
9 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN63D8LV-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
11 En existencias
9 000 En pedido
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Existencias:
11 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3 000 Se espera el 19/2/2027
6 000 Se espera el 21/5/2027
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas
1
₡202,98
10
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100
₡88,48
500
₡68,18
3 000
₡37,47
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
DMP2045UQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡405,96
260 897 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMP2045UQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
260 897 En pedido
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En pedido:
38 897 Se espera el 23/11/2026
78 000 Se espera el 21/12/2026
144 000 Se espera el 21/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
₡405,96
10
₡281,05
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₡178,00
500
₡115,02
3 000
₡65,06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1616-6 T&R 3K
+2 imágenes
DMP2200UFCL-7
Diodes Incorporated
1:
₡437,19
1 En existencias
9 000 Se espera el 1/9/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMP2200UFCL-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1616-6 T&R 3K
1 En existencias
9 000 Se espera el 1/9/2027
1
₡437,19
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₡134,28
1 000
₡98,89
3 000
₡69,74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
+2 imágenes
DMPH6250SQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡484,03
108 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMPH6250SQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT6007LFGQ-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMT6007LFGQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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