Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 445
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
48 000Se espera el 5/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 12VDss 8Vgss P-Ch 8Vdss 8Vgss
3 000Se espera el 16/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
2 979Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
5 986Se espera el 16/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 20Vdss 12Vgss 0.45W
14 967En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC
4 681Se espera el 2/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
4 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
8 481Se espera el 18/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000



Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V 4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
10 000Se espera el 31/3/2027
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
5 447Se espera el 16/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
4 998Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 290
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFET 12V
19 667En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 620
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC
9 273Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 180
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF
3 000Se espera el 16/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A
2 983Se espera el 7/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
8 305En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
5 000Se espera el 2/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
36 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
19 335Se espera el 21/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A
2 500Se espera el 22/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 20Vdss 20Vgss 30A
4 909En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
9 999Se espera el 11/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
5 722En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 3 000