SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Littelfuse Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A SM SCHOTTKY
Hoja de datos
713En existencias
Cinta cortada
₡4 023,20
₡2 274,43
Envase tipo carrete
₡2 274,43
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)
IXYS MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Hoja de datos
1 753En existencias
₡4 803,90
₡2 872,97
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Hoja de datos
445En existencias
₡8 410,72
₡6 807,69
₡6 349,68
₡5 090,15
₡4 502,03
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
₡13 022,04
₡10 430,13
₡9 019,67
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101
Hoja de datos
No en existencias
SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)