Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Modo canal
Nombre comercial
Tecnología
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
Hoja de datos
16 188En existencias
6 000Se espera el 4/11/2026
Cinta cortada
₡4 007,58
₡2 180,75
₡1 998,59
₡1 899,70
₡1 691,51
Envase tipo carrete
₡1 462,51
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
SMD/SMT QFN-5 N-Channel 1 Channel 100 V 101 A 1.2 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 17 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET GaN
EPC EPC2367A
EPC GaN FETs 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives.
Hoja de datos
No en existencias
₡3 679,69
₡2 461,80
₡1 977,77
₡1 759,17
₡1 410,46
Min.: 1
Mult.: 1