Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 301
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa 760En existencias
₡17 263,84
₡12 418,30
₡11 824,97
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 1 439En existencias
₡2 113,09
₡1 072,16
₡973,27
₡796,31
₡780,70
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package 845En existencias
Cinta cortada
₡6 630,73
₡3 747,35
₡3 690,10
Envase tipo carrete
₡3 487,12
Min.: 1
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: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII 5 134En existencias
Cinta cortada
₡863,97
₡410,13
₡365,37
₡287,30
Envase tipo carrete
₡222,76
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Min.: 1
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: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII 1 684En existencias
₡1 816,42
₡910,81
₡822,34
₡671,40
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Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 1 443En existencias
₡1 753,97
₡863,97
₡687,01
₡619,35
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 1 683En existencias
₡3 393,43
₡2 316,07
₡2 035,02
₡2 019,41
₡2 009,00
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5 1 000En existencias
₡7 494,70
₡4 200,16
₡4 090,86
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 980En existencias
Cinta cortada
₡2 784,49
₡1 446,89
₡1 321,98
₡1 171,05
Envase tipo carrete
₡1 103,39
Min.: 1
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: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 2 614En existencias
₡3 601,62
₡1 936,13
₡1 769,58
₡1 603,03
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1 718En existencias
₡4 325,07
₡2 342,09
₡2 149,52
₡1 982,97
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 869En existencias
₡3 528,76
₡1 873,68
₡1 717,54
₡1 566,60
₡1 514,55
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H 3 711En existencias
Cinta cortada
₡1 816,42
₡921,22
₡811,93
₡676,61
Envase tipo carrete
₡624,56
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 5 474En existencias
Cinta cortada
₡2 118,29
₡1 077,36
₡978,47
₡811,93
Envase tipo carrete
₡759,88
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3 37 057En existencias
Cinta cortada
₡796,31
₡373,69
₡332,58
₡260,23
Envase tipo carrete
₡248,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A 4 990En existencias
₡2 009,00
₡978,47
₡811,93
₡681,81
₡671,40
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp 476En existencias
₡5 844,83
₡3 278,93
₡3 242,50
₡2 898,99
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A 634En existencias
Cinta cortada
₡3 206,07
₡1 686,31
₡1 540,58
₡1 410,46
Envase tipo carrete
₡1 332,39
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 1 249En existencias
Cinta cortada
₡3 268,52
₡1 722,74
₡1 577,01
₡1 446,89
Envase tipo carrete
₡1 363,62
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac 3 650En existencias
Cinta cortada
₡2 602,33
₡1 342,80
₡1 223,09
₡1 066,95
Envase tipo carrete
₡1 004,50
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 4 947En existencias
Cinta cortada
₡2 815,72
₡1 467,71
₡1 332,39
₡1 186,66
Envase tipo carrete
₡1 176,25
₡1 119,00
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect 1 972En existencias
₡2 253,62
₡1 150,23
₡1 046,14
₡858,77
₡822,34
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1 381En existencias
₡4 101,27
₡2 211,98
₡2 029,82
₡1 759,17
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 560En existencias
₡5 423,25
₡3 513,14
₡3 091,56
₡2 388,94
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 9 440En existencias
Cinta cortada
₡921,22
₡466,86
₡392,43
₡310,20
Envase tipo carrete
₡265,96
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)