Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

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STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII

STL30N10F7
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STripFET

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STP110N10F7
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STripFET

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STL60N10F7
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STripFET

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STH275N8F7-2AG
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STripFET

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Enhancement

AEC-Q101

STripFET

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Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

STL110N10F7
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100 V

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STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

STP150N10F7AG
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1 Channel

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110 A

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AEC-Q100

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL140N4F7AG
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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

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40 V

120 A

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Enhancement

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STL140N6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

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STP150N10F7
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STP150N10F7

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511-STP150N10F7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

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1 Channel

100 V

110 A

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STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

STF100N10F7
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STF100N10F7

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511-STF100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

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N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

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Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

STL125N8F7AG
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511-STL125N8F7AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

STP140N8F7
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STripFET

Tube

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511-STL3N10F7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

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PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

1 Channel

100 V

4 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

STO450N6F7
STMicroelectronics
1: ₡3 513,14
1 758En existencias
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STO450N6F7

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511-STO450N6F7

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

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₡1 868,47

₡1 707,13

₡1 592,62

₡1 504,15

Envase tipo carrete

₡1 504,15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

1 Channel

60 V

545 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

STL160N6LF7
STMicroelectronics
1: ₡1 165,84
399En existencias
3 000Se espera el 23/9/2026
Nuevo producto

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STL160N6LF7

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511-STL160N6LF7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

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₡1 165,84

₡567,31

₡505,37

₡402,32

₡375,78

Envase tipo carrete

₡337,78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

STH310N10F7-2
STMicroelectronics
1: ₡3 138,41
6 650En existencias

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STH310N10F7-2

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511-STH310N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

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₡3 138,41

₡1 816,42

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Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

STB100N10F7
STMicroelectronics
1: ₡1 727,95
3 761En existencias
5 000Se espera el 7/9/2026

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STB100N10F7

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511-STB100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

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₡900,41

₡775,49

₡671,40

Envase tipo carrete

₡582,92

₡562,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

STD100N10F7
STMicroelectronics
1: ₡1 634,26
5 407En existencias
7 500Se espera el 20/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

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Cinta cortada

₡1 634,26

₡811,93

₡713,04

₡593,33

Envase tipo carrete

₡536,08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

STD105N10F7AG
STMicroelectronics
1: ₡1 530,17
3 068En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD105N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD105N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

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₡759,88

₡681,81

₡562,10

Envase tipo carrete

₡497,56

₡487,68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STripFET™ F7 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
4.5 A
7 A
8 A
12 A
16 A
19 A
20 A
21 A
25 A
35 A
45 A
70 A
80 A
90 A
110 A
120 A
145 A
180 A
545 A

1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3.2 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
6 mOhms
6.8 mOhms
7 mOhms
7.3 mOhms
8 mOhms
10 mOhms

2.4 W
2.9 W
4.8 W
5 W
30 W
40 W
50 W
60 W
85 W
100 W
111 W
120 W
135 W
150 W
166 W
167 W
200 W
250 W
300 W
315 W