RJ1N04BBHTL1

ROHM Semiconductor
755-RJ1N04BBHTL1
RJ1N04BBHTL1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

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ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-263AB-3
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
5.3 mOhms
20 V
4 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
89 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 38 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 20 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 14 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 65 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 30 ns
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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En existencias: 712

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡2 331,68 ₡2 331,68
₡1 191,87 ₡11 918,70
₡1 082,57 ₡108 257,00
₡858,77 ₡429 385,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
₡858,77 ₡687 016,00

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