Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Costa Rica

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg IRF2804PBF Infineon Technologies 1: ₡1 129,41 3 460En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF2804PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF2804PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg	Hoja de datos	3 460En existencias	₡1 129,41 ₡671,40 ₡577,72 ₡481,95	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	280 A	2 mOhms	20 V	2 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies 1: ₡489,24 7 665En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6276TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET	Hoja de datos	7 665En existencias	Cinta cortada ₡489,24 ₡224,32 ₡198,30 ₡151,98 Envase tipo carrete ₡116,58 Ver ₡145,21 ₡100,97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4 000			Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	20 V	4.5 A	45 mOhms	12 V	1.8 V	3.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies 1: ₡515,26 59 923En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRLTS6342TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLTS6342TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable	Hoja de datos	59 923En existencias	Cinta cortada ₡515,26 ₡339,86 ₡210,27 ₡136,88 Envase tipo carrete ₡91,60 Ver ₡108,26 ₡81,71 ₡76,51 ₡62,46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000			Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	1 Channel	30 V	8.3 A	17.5 mOhms	12 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	HEXFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies 1: ₡572,51 12 850En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6376TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC	Hoja de datos	12 850En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRLHS6376TRPBF Existencias: 0 En pedido: 850 Se espera el 20/5/2027 12 000 Se espera el 14/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 51 Semanas	Cinta cortada ₡572,51 ₡411,17 ₡255,55 ₡175,92 Ver Envase tipo carrete ₡115,02 ₡147,81 ₡132,72 ₡115,02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4 000			Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	30 V	3.6 A	63 mOhms	12 V	1.8 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg IRFB4321PBF Infineon Technologies 1: ₡2 550,28 Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IRFB4321PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB4321PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas	₡2 550,28 ₡1 337,60 ₡1 217,89 ₡1 004,50 ₡999,29	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	12 mOhms	30 V	1.8 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube