Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

U-MOSIV MOSFETs

Toshiba U-MOSIV MOSFETs are offered in logic-level gate drive, low-voltage gate drive, and 10V gate drive variants in N-channel and P-channel polarity. The U-MOSIV MOSFETs offer low drain-source ON-resistance and low leakage current. These devices are offered in through-hole and surface mount packages and are ideal for motor driver, DC-DC converter, and switching voltage regulator applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ TPCP8011,LF Toshiba 1: ₡905,61 1 836En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPCP8011,LF N.º de artículo de Mouser 757-TPCP8011LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	1 836En existencias	Cinta cortada ₡905,61 ₡429,38 ₡383,06 ₡301,35 Envase tipo carrete ₡252,43 Ver ₡276,89 ₡243,06 ₡237,33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PS-8	N-Channel	1 Channel	40 V	5 A	31.8 mOhms	20 V	2 V	11.8 nC	- 55 C	+ 175 C	1.96 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ TPCP8107,LF Toshiba 1: ₡614,15 6 091En existencias 9 000Se espera el 1/3/2027	N.º de artículo del Fabricante TPCP8107,LF N.º de artículo de Mouser 757-TPCP8107LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	6 091En existencias 9 000Se espera el 1/3/2027	Cinta cortada ₡614,15 ₡284,69 ₡252,43 ₡195,17 Envase tipo carrete ₡153,02 Ver ₡190,49 ₡150,41 ₡138,44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PS-8	P-Channel	1 Channel	40 V	8 A	18 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	44.6 nC	- 55 C	+ 175 C	2.01 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package SSM3K131TU,LF Toshiba 1: ₡421,58 3 109En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3K131TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K131TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	3 109En existencias	Cinta cortada ₡421,58 ₡192,05 ₡169,15 ₡155,10 Envase tipo carrete ₡98,89 Ver ₡130,12 ₡97,85 ₡86,92 ₡81,71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	UFM-3	N-Channel	1 Channel	30 V	6 A	27.6 mOhms	20 V	2.5 V	10.1 nC	- 55 C	+ 150 C	800 mW	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V SSM3K347R,LF Toshiba 1: ₡291,46 2 861En existencias 3 000Se espera el 19/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3K347R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K347RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	2 861En existencias 3 000Se espera el 19/10/2026	Cinta cortada ₡291,46 ₡130,64 ₡114,50 ₡85,88 Envase tipo carrete ₡64,54 Ver ₡83,79 ₡63,50 ₡50,49 ₡44,76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	38 V	2 A	280 mOhms	20 V	1.4 V	2.5 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V SSM6K406TU,LF Toshiba 1: ₡504,85 2 900En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K406TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K406TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	2 900En existencias	Cinta cortada ₡504,85 ₡359,64 ₡223,80 ₡154,58 Envase tipo carrete ₡101,49 Ver ₡130,12 ₡100,45 ₡96,29 ₡89,52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	UF-6	N-Channel	1 Channel	30 V	4.4 A	25 mOhms	20 V	1.3 V	12.4 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz SSM6N7002BFE,LM Toshiba 1: ₡150,93 3 379En existencias 32 000Se espera el 11/12/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6N7002BFE,LM N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N7002BFELM	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	3 379En existencias 32 000Se espera el 11/12/2026	Cinta cortada ₡150,93 ₡66,62 ₡58,29 ₡42,68 Envase tipo carrete ₡29,67 Ver ₡37,99 ₡28,11 ₡20,82 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4 000	Si	SMD/SMT	ES6-6	N-Channel	2 Channel	60 V	200 mA	2.1 Ohms	20 V	1.5 V		- 55 C	+ 150 C	150 mW	Enhancement		U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008 TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba 1: ₡1 394,85 1 100En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK60S06K3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TK60S06K3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008 Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	1 100En existencias	Cinta cortada ₡1 394,85 ₡687,01 ₡614,15 ₡492,36 Envase tipo carrete ₡467,38 Ver ₡482,47 ₡454,89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	60 A	8 mOhms	20 V	2 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet SSM3K318R,LF Toshiba 1: ₡395,55 14 968Se espera el 8/1/2027	N.º de artículo del Fabricante SSM3K318R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K318RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	14 968Se espera el 8/1/2027	Cinta cortada ₡395,55 ₡177,48 ₡156,14 ₡117,63 Envase tipo carrete ₡89,52 Ver ₡105,65 ₡80,67 ₡70,26 ₡57,77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	60 V	2.5 A	107 mOhms	20 V	2.8 V	7 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet SSM3K337R,LF Toshiba 1: ₡426,78 10 620En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM3K337R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	10 620En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SSM3K337R,LF Existencias: 0 En pedido: 4 620 Se espera el 23/10/2026 6 000 Se espera el 18/1/2027 Plazo de entrega de fábrica: 20 Semanas	Cinta cortada ₡426,78 ₡263,88 ₡170,19 ₡129,60 Envase tipo carrete ₡99,93 Ver ₡116,58 ₡91,60 ₡82,23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	38 V	2 A	150 mOhms	20 V	700 mV	3 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054 TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba 1: ₡1 098,18 6 000Se espera el 23/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TK8S06K3L(T6L1,NQ) N.º de artículo de Mouser 757-TK8S06K3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054 Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	6 000Se espera el 23/11/2026	Cinta cortada ₡1 098,18 ₡687,01 ₡452,28 ₡359,12 ₡319,05 Envase tipo carrete ₡273,76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	8 A	54 mOhms	20 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	25 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V SSM3H137TU,LF Toshiba 1: ₡390,35 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3H137TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	No en existencias	Cinta cortada ₡390,35 ₡175,92 ₡154,58 ₡117,63 Envase tipo carrete ₡117,10 Ver ₡108,26 ₡101,49 ₡91,08	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	UFM-3	N-Channel	1 Channel	34 V	2 A	240 mOhms	20 V	700 mV			+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103 TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba 2 000: ₡313,84 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK35S04K3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TK35S04K3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103 Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Envase tipo carrete ₡313,84 ₡306,55	Min.: 2 000 Mult.: 2 000 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	35 A	10.3 mOhms						58 W		AEC-Q100	U-MOSIV	Reel

U-MOSIV MOSFETs

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte