Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIV MOSFETs

Toshiba U-MOSIV MOSFETs are offered in logic-level gate drive, low-voltage gate drive, and 10V gate drive variants in N-channel and P-channel polarity. The U-MOSIV MOSFETs offer low drain-source ON-resistance and low leakage current. These devices are offered in through-hole and surface mount packages and are ideal for motor driver, DC-DC converter, and switching voltage regulator applications.

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Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008

TK60S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 394,85
1 182En existencias

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TK60S06K3L(T6L1,NQ

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757-TK60S06K3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008

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: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ

TPCP8011,LF
Toshiba
1: ₡905,61
1 836En existencias

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TPCP8011,LF

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757-TPCP8011LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ

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SMD/SMT

PS-8

N-Channel

1 Channel

40 V

5 A

31.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11.8 nC

- 55 C

+ 175 C

1.96 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

TPCP8107,LF
Toshiba
1: ₡614,15
13 211En existencias

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TPCP8107,LF

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757-TPCP8107LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

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: 3 000

SMD/SMT

PS-8

P-Channel

1 Channel

40 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

44.6 nC

- 55 C

+ 175 C

2.01 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package

SSM3K131TU,LF
Toshiba
1: ₡421,58
3 109En existencias

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SSM3K131TU,LF

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757-SSM3K131TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package

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: 3 000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

27.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.1 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K318R,LF
Toshiba
1: ₡395,55
12 123En existencias

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SSM3K318R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K318RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

107 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
1: ₡426,78
120En existencias
6 000Se espera el 7/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K337R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K337RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

38 V

2 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

3 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V

SSM6K406TU,LF
Toshiba
1: ₡431,99
2 900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K406TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K406TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V

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: 3 000

SMD/SMT

UF-6

N-Channel

1 Channel

30 V

4.4 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz

SSM6N7002BFE,LM
Toshiba
1: ₡150,93
19 360En existencias
4 000Se espera el 4/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002BFE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002BFELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz

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: 4 000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

60 V

200 mA

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054

TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Toshiba
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6 000Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK8S06K3L(T6L1,NQ)

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757-TK8S06K3LT6L1NQ

Toshiba

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₡478,83

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: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

54 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

25 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

SSM3K347R,LF
Toshiba
1: ₡275,85
5 861Se espera el 2/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K347R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K347RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

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₡60,89

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

38 V

2 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
1: ₡390,35
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

34 V

2 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103

TK35S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba
2 000: ₡313,84
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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TK35S04K3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK35S04K3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103

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₡313,84

₡306,55

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Mult.: 2 000

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

10.3 mOhms

58 W

AEC-Q100

U-MOSIV

Reel

U-MOSIV MOSFETs

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