Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR 9 942En existencias
Cinta cortada
₡452,80
₡206,10
₡181,64
₡138,96
Envase tipo carrete
₡124,91
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 2.1 A, 3.9 A 58 mOhms, 195 mOhms 8 V 600 mV 3.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W, 1.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR 503En existencias
25 000En pedido
Cinta cortada
₡728,65
₡447,08
₡294,58
₡231,61
₡202,98
Envase tipo carrete
₡167,59
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 8 A 24 mOhms, 27 mOhms 20 V 1 V, 1.2 V 13.3 nC, 41.5 nC - 55 C + 150 C 3.1 W, 3.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 NPCH 40V 10A 10En existencias
5 000En pedido
Cinta cortada
₡1 082,57
₡551,69
₡462,17
₡374,74
Envase tipo carrete
₡313,84
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 9.2 A, 10 A 17.5 mOhms, 21 mOhms 20 V 800 mV, 1.2 V 20.5 nC, 41.5 nC - 55 C + 150 C 3.1 W, 3.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR 62En existencias
15 000Se espera el 9/3/2028
Cinta cortada
₡832,74
₡514,22
₡338,82
₡265,96
₡233,69
Envase tipo carrete
₡206,10
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 5.8 A, 6.8 A 35.5 mOhms, 45 mOhms 20 V 1.2 V, 1.4 V 11.7 nC, 25 nC - 55 C + 150 C 3 W, 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR 339En existencias
Cinta cortada
₡931,63
₡530,87
₡392,43
₡310,20
₡277,93
Envase tipo carrete
₡227,96
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TSSOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 6.1 A, 6.7 A 22 mOhms, 30 mOhms 8 V 600 mV 15 nC, 34 nC - 55 C + 150 C 1.6 W, 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
32 619Se espera el 31/1/2028
Cinta cortada
₡530,87
₡364,33
₡231,09
₡142,61
₡105,65
Envase tipo carrete
₡93,68
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT SC-89-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 350 mA, 500 mA 396 mOhms, 756 mOhms 8 V 400 mV 1.3 nC, 1.65 nC - 55 C + 150 C 220 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
21 814Se espera el 9/3/2028
Cinta cortada
₡629,76
₡350,79
₡257,63
₡198,82
Envase tipo carrete
₡150,41
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4.3 A, 6 A 47 mOhms, 89 mOhms 20 V 1 V 6 nC, 7.8 nC - 55 C + 150 C 2.78 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel