Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS-™T2 Power Transistors

Infineon Technologies IPG20N06 OptiMOS™ Power Transistors and IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS™-T2 Power Transistors are the newest additions to the OptiMOS product line. The Infineon IPG20N06 OptiMOS (55V), IPG20N06 OptiMOS-T2 (60V), and IPG20N04 OptiMOS-T2 (40V) devices are dual N-channel devices in a TDSON-8 package. These Infineon OptiMOS devices have a maximum operating temperature of 175ºC. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-08
Infineon Technologies
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8 352En existencias
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IPG20N04S4-08

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726-IPG20N04S4-08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1: ₡994,09
9 036En existencias
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: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPG20N04S4L-08
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.2 mOhms, 7.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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IPG20N04S4L-11
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

11.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-50
Infineon Technologies
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1 501En existencias

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IPG20N06S2L-50

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726-IPG20N06S2L-50

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

51 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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IPG20N06S2L-65
Infineon Technologies
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IPG20N06S2L-65

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726-IPG20N06S2L-65

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₡249,82

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Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N06S4L-26
Infineon Technologies
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IPG20N06S4L-26

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

26 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-35
Infineon Technologies
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10 000Se espera el 29/10/2026

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IPG20N06S2L-35

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-35

Infineon Technologies

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Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-07
Infineon Technologies
1: ₡1 269,94
Plazo de entrega 39 Semanas
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IPG20N04S4L-07

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

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