20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.

Resultados: 41
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
79En existencias
15 000Se espera el 15/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 106 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
3 557En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
2 129En existencias
5 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 59 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
Hoja de datos
1 446En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 800

Si SMD/SMT DirectFET-MX N-Channel 1 Channel 25 V 220 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 46 nC - 40 C + 150 C 96 W Enhancement DirectFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
4 600En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 58 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
2 876En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 35 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
30 000Se espera el 25/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 149 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8
Hoja de datos
19 800Se espera el 11/3/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 98 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 27 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
9 065Se espera el 4/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 36 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 64 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 48 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 153 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube