Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V
NVMFS5C612NLAFT1G
onsemi
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863-NVMFS5C612NLFT1G
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V
3 041 En existencias
1
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Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
NVMFS5C426NLT1G
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863-NVMFS5C426NLT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
22 En existencias
1
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₡1 051,34
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Si
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SO-8FL-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms
NVMFS5C612NWFT1G
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863-NVMFS5C612NWFT1
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms
17 En existencias
3 000 Se espera el 20/10/2026
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1 500
₡1 488,53
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Detalles
Si
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SO-8FL-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE
NVMFS5C680NLT1G
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863-NVMFS5C680NLT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE
4 260 En existencias
4 500 Se espera el 20/8/2026
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Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
NVMFSC0D9N04CL
onsemi
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863-NVMFSC0D9N04CL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
49 En existencias
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6 000 Se espera el 7/10/2027
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53 Semanas
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Si
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DFN-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF
NVTFS5C454NLWFTAG
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N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLWFTA
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF
96 En existencias
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₡409,09
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Si
SMD/SMT
WDFN-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
NVTFS5C466NLWFTAG
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2 246 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NWFTAG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
2 246 En existencias
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₡335,18
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Detalles
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
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40 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
NVTFS5C471NLWFTAG
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₡1 311,57
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3 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C471NLWFTA
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
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3 000 En pedido
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1 500 Se espera el 8/9/2026
1 500 Se espera el 15/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
1
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₡360,68
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1 500
Detalles
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
NVTFS5C478NLWFTAG
onsemi
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17 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C478NLWFTA
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
17 En existencias
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₡340,38
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₡288,86
Comprar
Min.: 1
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1 500
Detalles
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
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+ 175 C
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
NVMFS5832NLWFT1G-UM
onsemi
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₡1 155,43
1 500 Se espera el 23/10/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
863-FS5832NLWFT1G-UM
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
1 500 Se espera el 23/10/2026
1
₡1 155,43
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1 500
₡493,92
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1 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
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Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF
NVTFS5C658NLWFTAG
onsemi
1:
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792 Se espera el 11/8/2027
N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NWFTAG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF
792 Se espera el 11/8/2027
1
₡1 410,46
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₡516,30
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1 500
₡438,23
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 500
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
60 V
109 A
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40V, 51A, 7.3m
NVTFS5C466NLWFETAG
onsemi
1:
₡1 186,66
1 500 Se espera el 27/11/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
863-TFS5C466NLWFETAG
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40V, 51A, 7.3m
1 500 Se espera el 27/11/2026
1
₡1 186,66
10
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₡513,18
1 500
₡513,18
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
Carrete :
1 500
Detalles
Si
SMD/SMT
WDFNW-8
N-Channel
1 Channel
40 V
51 A
7.3 mOhms
20 V
2.2 V
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- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS
NVMFS024N06CT1G
onsemi
1:
₡1 171,05
3 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS024N06CT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS
3 000 En pedido
1
₡1 171,05
10
₡733,86
100
₡482,99
500
₡383,06
1 000
₡340,38
1 500
₡340,38
Comprar
Min.: 1
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Carrete :
1 500
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
60 V
25 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
5.7 nC
- 55 C
+ 175 C
28 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
NVMFWS024N06CT1G
onsemi
1:
₡1 072,16
3 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS024N06CT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
3 000 En pedido
1
₡1 072,16
10
₡687,01
100
₡461,13
500
₡365,89
1 000
₡300,83
1 500
₡300,83
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
60 V
25 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
5.7 nC
- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
NVMFS5C404NLWFAFT3G
onsemi
5 000:
₡2 347,30
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLAT3G
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Comprar
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8FL
N-Channel
1 Channel
40 V
52 A, 370 A
520 uOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
181 nC
- 55 C
+ 175 C
3.9 W, 200 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET
NVMFS5C604NLAFT3G
onsemi
5 000:
₡1 675,90
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT3G
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Comprar
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8FL
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A, 287 A
930 uOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
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3.9 W, 200 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel