75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C02 emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.

Resultados: 63
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS 17 786En existencias
Cinta cortada
₡1 436,48
₡921,22
₡629,76
₡536,08
Envase tipo carrete
₡445,00
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Min.: 1
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: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 20.5 mOhms 20 V 1.2 V 56 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ 14 041En existencias
Cinta cortada
₡2 191,16
₡1 113,80
₡1 009,70
₡843,15
Envase tipo carrete
₡796,31
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms 20 V 2.7 V 91 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS 36 563En existencias
Cinta cortada
₡1 389,64
₡666,20
₡541,28
₡470,50
₡448,12
Envase tipo carrete
₡428,34
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 15.9 mOhms 20 V 1.2 V 72 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 32 467En existencias
Cinta cortada
₡1 759,17
₡879,59
₡770,29
₡645,38
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Envase tipo carrete
₡588,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4 Ohms 20 V 1.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 6 000En existencias
Cinta cortada
₡3 341,39
₡1 837,24
₡1 681,10
₡1 561,40
₡1 478,12
Envase tipo carrete
₡1 478,12
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.7 mOhms 20 V 3.8 V 231 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ 4 163En existencias
Cinta cortada
₡1 145,02
₡556,90
₡495,48
₡393,99
₡366,41
Envase tipo carrete
₡328,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 12.2 mOhms 20 V 2.7 V 34 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 3 592En existencias
Cinta cortada
₡1 608,24
₡1 035,73
₡713,04
₡577,72
Envase tipo carrete
₡516,82
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.6 mOhms 16 V 1.1 V 75 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V 3 177En existencias
Cinta cortada
₡1 603,03
₡796,31
₡707,83
₡520,47
Envase tipo carrete
₡520,47
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V 2 278En existencias
Cinta cortada
₡1 655,08
₡1 066,95
₡733,86
₡598,54
Envase tipo carrete
₡530,87
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ 5 921En existencias
Cinta cortada
₡1 155,43
₡577,72
₡485,59
₡399,72
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Envase tipo carrete
₡321,65
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 31 mOhms, 31 mOhms 20 V 2.7 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 4 795En existencias
Cinta cortada
₡1 124,21
₡713,04
₡479,87
₡388,79
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Envase tipo carrete
₡309,16
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms 16 V 1.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V 1 208En existencias
₡3 794,19
₡2 102,68
₡1 925,72
₡1 623,85
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.1 mOhms 20 V 2 V 167 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 6 035En existencias
Cinta cortada
₡2 243,21
₡1 202,28
₡1 040,93
₡916,02
₡884,79
Envase tipo carrete
₡874,38
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS 1 146En existencias
Cinta cortada
₡1 337,60
₡655,79
₡588,13
₡470,50
₡448,64
Envase tipo carrete
₡408,04
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 17.4 mOhms 20 V 2.1 V 57 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS 2 249En existencias
Cinta cortada
₡1 368,82
₡879,59
₡598,54
₡506,93
Envase tipo carrete
₡424,18
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 17.4 mOhms 20 V 2.1 V 57 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V 1 899En existencias
Cinta cortada
₡1 129,41
₡713,04
₡466,86
₡370,05
Envase tipo carrete
₡300,31
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 11.2 mOhms 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T 975En existencias
Cinta cortada
₡2 035,02
₡1 030,52
₡931,63
₡796,31
Envase tipo carrete
₡733,86
₡723,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 9.4 mOhms 20 V 2 V 66 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T 700En existencias
Cinta cortada
₡2 071,45
₡1 353,21
₡983,68
₡827,54
Envase tipo carrete
₡759,88
₡723,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 9.4 mOhms 20 V 2 V 66 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 3 793En existencias
8 000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
₡3 070,75
₡1 644,67
₡1 571,81
₡1 441,69
₡1 389,64
Envase tipo carrete
₡1 348,01
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 370 A 1.2 mOhms 20 V 3.8 V 149 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T 5 467En existencias
Cinta cortada
₡1 301,16
₡827,54
₡556,90
₡451,76
₡422,10
Envase tipo carrete
₡361,20
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 24 mOhms 20 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 15 709En existencias
25 000En pedido
Cinta cortada
₡1 806,01
₡1 171,05
₡806,72
₡671,40
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Envase tipo carrete
₡530,87
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms 20 V 2.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 11 130En existencias
Cinta cortada
₡2 992,68
₡1 566,60
₡1 431,28
₡1 290,75
Envase tipo carrete
₡1 202,28
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ 1 846En existencias
Cinta cortada
₡2 846,95
₡1 478,12
₡1 342,80
₡1 181,46
Envase tipo carrete
₡1 040,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.5 mOhms 20 V 2.7 V 140 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 1 826En existencias
Cinta cortada
₡3 825,42
₡2 503,44
₡1 847,65
₡1 670,69
Envase tipo carrete
₡1 457,30
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 9 827En existencias
Cinta cortada
₡1 587,42
₡785,90
₡707,83
₡572,51
₡556,90
Envase tipo carrete
₡514,22
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.7 mOhms 20 V 2.7 V 68 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape