DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

Diode Inc. DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (RDS(ON)). They maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMN31D5UFZ and DMN2990UFZ are N-Channel enhancement mode MOSFETs and the DMP32D9UFZ is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET.

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss 3 498En existencias
Cinta cortada
₡952,45
₡461,65
₡392,43
₡311,76
₡276,89
Envase tipo carrete
₡240,98
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 8.8 A, 12.2 A 15 mOhms, 29 mOhms 20 V 1 V 40 nC, 34 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET 9 322En existencias
Cinta cortada
₡411,17
₡185,29
₡162,91
₡150,41
Envase tipo carrete
₡91,08
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 12 V, 25 V 500 mA, 3.5 A 4 Ohms, 100 mOhms 8 V 350 mV, 650 mV 900 pC, 24.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W 28 262En existencias
50 000Se espera el 19/5/2027
Cinta cortada
₡338,30
₡151,98
₡133,76
₡99,41
Ver
Envase tipo carrete
₡65,06
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10 000
: 10 000
Si SMD/SMT X2-DFN0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 220 mA 4.5 Ohms 12 V 1 V 350 pC - 55 C + 150 C 393 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET 3 716En existencias
Cinta cortada
₡411,17
₡185,29
₡162,91
₡144,17
Envase tipo carrete
₡94,72
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 25 V, 30 V 400 mA, 2.6 A 4 Ohms, 300 mOhms 8 V, 12 V 500 mV, 650 mV 700 pC, 21 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 30V Comp Pair 8 734En existencias
10 000Se espera el 29/10/2027
Cinta cortada
₡567,31
₡266,48
₡230,05
₡203,50
₡179,04
Envase tipo carrete
₡147,81
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 7 A, 8.5 A 21 mOhms, 39 mOhms 20 V 2.1 V, 2.2 V 16.1 nC, 21.1 nC - 55 C + 100 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF 11 495En existencias
Cinta cortada
₡291,46
₡129,08
₡113,46
₡111,38
Envase tipo carrete
₡111,38
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 840
: 10 000
Si SMD/SMT X2-DFN0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 990 mOhms 8 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 30V 0.35VnC Enh Mode FET -0.2A 11 990En existencias
Cinta cortada
₡307,07
₡137,40
₡120,23
₡118,15
Ver
Envase tipo carrete
₡57,77
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000
Si SMD/SMT X2-DFN0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 10 Ohms 10 V 1 V 350 pC - 55 C + 150 C 390 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Envase tipo carrete
₡75,99
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000
Si SMD/SMT TSOT-26-6 Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Envase tipo carrete
₡77,03
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000
Si SMD/SMT TSOT-26-6 Reel