Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 908,70
1 675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1 675En existencias

Cinta cortada

₡3 908,70

₡2 467,01

₡1 925,72

₡1 842,45

₡1 722,74

Envase tipo carrete

₡1 722,74

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 101,27
1 174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R080G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1 174En existencias

Cinta cortada

₡4 101,27

₡2 779,29

₡1 993,38

₡1 842,45

₡1 826,83

Envase tipo carrete

₡1 826,83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡9 628,61
950En existencias
2 000Se espera el 19/7/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R028G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

950En existencias

2 000Se espera el 19/7/2027

Cinta cortada

₡9 628,61

₡6 838,92

₡5 974,94

₡5 579,39

Envase tipo carrete

₡5 579,39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

75 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

123 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 148,82
1 098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R102G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1 098En existencias

Cinta cortada

₡3 148,82

₡2 107,88

₡1 514,55

₡1 379,23

₡1 285,55

Envase tipo carrete

₡1 285,55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

141 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 768,88
143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R125G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

143En existencias

Cinta cortada

₡2 768,88

₡1 842,45

₡1 311,57

₡1 160,64

₡1 082,57

Envase tipo carrete

₡1 082,57

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 605,41
28En existencias
2 000Se espera el 1/4/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

28En existencias

2 000Se espera el 1/4/2027

Cinta cortada

₡5 605,41

₡3 913,90

₡3 148,82

₡2 945,83

₡2 753,26

Envase tipo carrete

₡2 753,26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 347,30
108En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R150G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R150G7XTM1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

108En existencias

Cinta cortada

₡2 347,30

₡1 550,99

₡1 098,18

₡1 025,32

₡1 014,91

Envase tipo carrete

₡957,66

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 688,69
1 453Se espera el 29/4/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R050G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1 453Se espera el 29/4/2027

Cinta cortada

₡5 688,69

₡3 919,10

₡3 013,49

₡2 852,15

Envase tipo carrete

₡2 852,15

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 956,95
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R190G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R190G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

₡1 956,95

₡1 280,34

₡895,20

₡728,65

₡681,81

Envase tipo carrete

₡681,81

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
2 000: ₡1 040,93
Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125G7XTMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

Envase tipo carrete

₡1 040,93

Min.: 2 000
Mult.: 2 000

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

108 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte