Trench 9 Superjunction MOSFETs

Nexperia Trench 9 Superjunction MOSFETs combine low voltage superjunction technology with advanced packaging design to deliver high performance and ruggedness. Trench 9 MOSFETs are all qualified to AEC-Q101, and exceed the requirements of this international automotive standard by as much as two times on key reliability tests, including Temperature Cycling (TC), High-Temperature Gate Bias (HTGB), High-Temperature Reverse Bias (HTRB), and Intermittent Operating Life (IOL).

Resultados: 17
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7J1R4-40H/SOT1023/4 LEADS
Hoja de datos
20 298En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 126 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y2R0-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2 958En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.07 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 90.5 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y1R7-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2 932En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 96 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y3R5-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
5 871En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 53 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
Hoja de datos
2 903En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 131 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
6 444En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 190 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1 253En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 190 A 1.3 mOhms - 10 V, 16 V 2.05 V 99 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y2R5-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
700En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 79 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y7R0-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
716En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 40 V 68 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K13-40H/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
194En existencias
1 500Se espera el 5/7/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 13.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 13 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y3R0-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2 970Se espera el 17/5/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 59 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y6R5-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1 500Se espera el 28/6/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 21 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 940 uOhms - 16 V, 16 V 1.35 V 168 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

Si LFPAK-56-5 Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R9-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

Si LFPAK-56-5 Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

Si LFPAK-56-5 Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.8 mOhms - 10 V, 16 V 2.05 V 4.7 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Reel