Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 3

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V NCH FRFET FCB20N60FTM onsemi 1: ₡4 007,58 8 623En existencias	N.º de artículo del Fabricante FCB20N60FTM N.º de artículo de Mouser 512-FCB20N60FTM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V NCH FRFET	Hoja de datos	8 623En existencias	Cinta cortada ₡4 007,58 ₡2 680,40 ₡2 154,73 ₡1 915,31 Envase tipo carrete ₡1 712,33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	150 mOhms	30 V	3 V	98 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	SuperFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CH FRFET FCA20N60F onsemi 1: ₡3 976,36 323En existencias	N.º de artículo del Fabricante FCA20N60F N.º de artículo de Mouser 512-FCA20N60F	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CH FRFET	Hoja de datos	323En existencias	₡3 976,36 ₡2 107,88 ₡1 998,59	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	150 mOhms	30 V	3 V	98 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	SuperFET FRFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V N-Channel FDA24N40F onsemi 1: ₡3 362,21 4 733En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDA24N40F N.º de artículo de Mouser 512-FDA24N40F	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V N-Channel	Hoja de datos	4 733En existencias	₡3 362,21 ₡2 201,57 ₡1 618,65 ₡1 441,69 ₡1 275,14	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	400 V	23 A	190 mOhms	30 V	3 V	60 nC	- 55 C	+ 150 C	235 W	Enhancement	UniFET	Tube

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