Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Costa Rica

Saltar al contenido principal

Parte de la familia de especialistas de TTIContactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301Comentarios

Cambiar ubicación

+52 33 3612 7301 Cambiar ubicación

En existencia

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TPW MOSFETs

Toshiba TPW MOSFETs feature 8-pin DSOP Advance packages for the U-MOSVIII-H and U-MOSIX-H Series MOSFETs. These are designed for high-efficiency DC-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers. The Toshiba TPW MOSFETs deliver high-speed switching, a small gate charge, and low on-resistance.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 4

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP TPWR8503NL,L1Q Toshiba 1: ₡2 071,45 4 774En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPWR8503NL,L1Q N.º de artículo de Mouser 757-TPWR8503NLL1Q	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	4 774En existencias	Cinta cortada ₡2 071,45 ₡1 051,34 ₡952,45 ₡785,90 ₡754,67 Envase tipo carrete ₡739,06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000			Si	SMD/SMT	DSOP-8	N-Channel	1 Channel	30 V	150 A	1 mOhms	20 V	1.3 V	74 nC	- 55 C	+ 150 C	142 W	Enhancement	U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP TPWR8004PL,L1Q Toshiba 1: ₡2 362,91 2 976En existencias 5 000Se espera el 26/2/2027	N.º de artículo del Fabricante TPWR8004PL,L1Q N.º de artículo de Mouser 757-TPWR8004PLL1Q	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP Obtenga más información sobre Toshiba u mosix h mosfets	Hoja de datos	2 976En existencias 5 000Se espera el 26/2/2027	Cinta cortada ₡2 362,91 ₡1 212,68 ₡1 098,18 ₡936,84 ₡905,61 Envase tipo carrete ₡884,79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000			Si	SMD/SMT	DSOP-8	N-Channel	1 Channel	40 V	150 A	800 uOhms	20 V	1.4 V	103 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement	U-MOSIX-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 80V 116A 8DSOP TPW4R008NH,L1Q Toshiba 1: ₡2 118,29 617En existencias 45 000Se espera el 25/12/2026	N.º de artículo del Fabricante TPW4R008NH,L1Q N.º de artículo de Mouser 757-TPW4R008NHL1Q	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 80V 116A 8DSOP Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	617En existencias 45 000Se espera el 25/12/2026	Cinta cortada ₡2 118,29 ₡1 259,53 ₡1 009,70 ₡848,36 Ver Envase tipo carrete ₡739,06 ₡785,90 ₡754,67 ₡739,06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000			Si	SMD/SMT	DSOP-8	N-Channel	1 Channel	80 V	116 A	3.3 mOhms	20 V	2 V	59 nC	- 55 C	+ 150 C	142 W	Enhancement	U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V TPW4R50ANH,L1Q Toshiba 1: ₡2 087,07 9 988Se espera el 25/12/2026	N.º de artículo del Fabricante TPW4R50ANH,L1Q N.º de artículo de Mouser 757-TPW4R50ANHL1Q	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	9 988Se espera el 25/12/2026	Cinta cortada ₡2 087,07 ₡1 061,75 ₡957,66 ₡791,11 ₡744,27 Envase tipo carrete ₡744,27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000			Si	SMD/SMT	DSOP-8	N-Channel	1 Channel	100 V	92 A	4.5 mOhms	20 V	2 V	58 nC	- 55 C	+ 150 C	142 W	Enhancement	U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel