UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are high-performance devices that deliver Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speeds, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Resultados: 29
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
278En existencias
Cinta cortada
₡12 730,58
₡9 508,90
₡8 223,35
₡7 369,79
Envase tipo carrete
₡7 369,79
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
648En existencias
Cinta cortada
₡7 302,13
₡4 179,34
₡3 955,54
Envase tipo carrete
₡3 955,54
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
562En existencias
₡6 859,73
₡3 809,81
₡3 643,26
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
1 266En existencias
Cinta cortada
₡4 096,06
₡2 211,98
₡2 191,16
₡2 113,09
Envase tipo carrete
₡2 113,09
₡1 847,65
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
1 258En existencias
₡8 062,01
₡4 803,90
₡4 090,86
₡3 762,96
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
279En existencias
Cinta cortada
₡15 395,37
₡12 194,50
₡11 372,17
₡10 284,40
Envase tipo carrete
₡10 284,40
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
1 719En existencias
Cinta cortada
₡26 564,55
₡21 443,17
₡19 626,75
Envase tipo carrete
₡19 626,75
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
714En existencias
Cinta cortada
₡17 633,37
₡12 881,52
₡12 298,60
₡12 194,50
Envase tipo carrete
₡12 194,50
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
2 497En existencias
Cinta cortada
₡11 949,89
₡7 749,73
₡7 312,54
₡6 922,19
Envase tipo carrete
₡6 922,19
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
2 815En existencias
Cinta cortada
₡8 197,33
₡4 855,94
₡4 850,74
₡4 595,71
Envase tipo carrete
₡4 595,71
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
2 570En existencias
Cinta cortada
₡7 255,29
₡4 142,90
₡3 919,10
Envase tipo carrete
₡3 919,10
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
3 269En existencias
Cinta cortada
₡5 990,56
₡3 351,80
₡3 226,89
₡3 049,93
Envase tipo carrete
₡3 049,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
1 266En existencias
Cinta cortada
₡9 992,94
₡7 114,76
₡6 266,40
₡5 850,03
Envase tipo carrete
₡5 850,03
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
6 703En existencias
₡8 088,03
₡4 621,73
₡4 299,04
₡4 273,02
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
384En existencias
₡28 599,57
₡20 407,45
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
614En existencias
₡7 270,90
₡4 174,13
₡4 137,70
₡3 794,19
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
252En existencias
600Se espera el 18/12/2026
₡6 422,54
₡3 539,16
₡3 341,39
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
1 779En existencias
₡6 682,78
₡3 752,56
₡3 653,67
₡3 341,39
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
306En existencias
Cinta cortada
₡7 916,28
₡4 637,35
₡4 387,52
Envase tipo carrete
₡4 387,52
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
187En existencias
₡8 134,87
₡4 600,91
₡4 548,87
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
289En existencias
₡8 858,32
₡5 038,11
₡4 731,03
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
395En existencias
₡6 349,68
₡3 497,53
₡3 294,55
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
257En existencias
Cinta cortada
₡17 435,59
₡12 699,36
₡12 022,75
Envase tipo carrete
₡12 022,75
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
767En existencias
₡10 305,21
₡7 697,68
₡6 656,75
₡6 302,84
₡5 964,53
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
13En existencias
Cinta cortada
₡10 487,38
₡6 703,59
₡6 323,65
₡5 985,35
Envase tipo carrete
₡5 985,35
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET