Transistores – Mouser Costa Rica

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CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡15 749,28 1 149En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R014M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R014M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1 149En existencias	₡15 749,28 ₡10 581,06	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡7 218,86 617En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R045M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	617En existencias	Cinta cortada ₡7 218,86 ₡4 397,93 ₡4 085,65 Envase tipo carrete ₡3 861,85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SiC MOSFETS		SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 278,93 368En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R140M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	368En existencias	₡3 278,93 ₡2 274,43 ₡2 123,50	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡7 598,79 797En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R040M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R040M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	797En existencias	₡7 598,79 ₡5 032,90 ₡4 205,36 ₡4 106,47	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡9 774,34 239En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	239En existencias	₡9 774,34 ₡7 442,66 ₡6 203,95 ₡5 527,34 ₡4 689,39	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡4 809,10 884En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R090M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	884En existencias	₡4 809,10 ₡2 576,30 ₡2 373,32 ₡2 258,82	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 762,96 3 851En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R220M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	3 851En existencias	₡3 762,96 ₡1 962,15 ₡1 800,81 ₡1 795,61 ₡1 629,06	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 969,74 839En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R060M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	839En existencias	₡5 969,74 ₡4 319,86 ₡3 596,42 ₡3 200,86 ₡2 992,68	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡17 315,88 1 290En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R014M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R014M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	1 290En existencias	₡17 315,88 ₡12 564,03 ₡11 132,75 ₡11 127,55 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package IMZA120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡10 091,82 563En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R030M1HXK NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package	Hoja de datos	563En existencias	₡10 091,82 ₡7 687,27 ₡6 406,93 ₡5 709,51 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 IMZC120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡6 661,96 22En existencias 960En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMZC120R034M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZC120R034M2HXK	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	22En existencias 960En pedido	₡6 661,96 ₡3 690,10 ₡3 466,30	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡29 067,99 298En existencias 240En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R007M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R007M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	298En existencias 240En pedido	₡29 067,99 ₡24 794,97 ₡20 454,29	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡12 990,82 313En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R020M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R020M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	313En existencias	₡12 990,82 ₡9 701,48 ₡8 389,90 ₡7 937,10 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡7 359,38 10En existencias 2 640En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R040M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R040M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	10En existencias 2 640En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMW120R040M1HXKSA1 Existencias: 10 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 240 Se espera el 10/12/2026 240 Se espera el 16/9/2027 2 160 Se espera el 14/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	₡7 359,38 ₡5 605,41 ₡4 668,57 ₡4 158,52 ₡3 887,88	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 766,76 27En existencias 1 920En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R060M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	27En existencias 1 920En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMW120R060M1HXKSA1 Existencias: 27 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 720 Pendiente 1 200 Se espera el 19/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	₡5 766,76 ₡4 075,24 ₡3 398,64 ₡3 023,90 ₡2 826,13	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 705,71 63En existencias 960Se espera el 10/12/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R350M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	63En existencias 960Se espera el 10/12/2026	₡3 705,71 ₡2 425,37 ₡1 790,40 ₡1 587,42 ₡1 405,26	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡4 252,20 19En existencias 2 160En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R220M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	19En existencias 2 160En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZ120R220M1HXKSA1 Existencias: 19 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 960 Se espera el 25/3/2027 1 200 Se espera el 1/4/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	₡4 252,20 ₡2 846,95 ₡2 290,05 ₡2 029,82 ₡1 800,81	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 721,33 179En existencias 240Se espera el 28/1/2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R350M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Hoja de datos	179En existencias 240Se espera el 28/1/2027	₡3 721,33 ₡2 487,82 ₡2 003,79 ₡1 774,79 ₡1 571,81	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡9 649,43 2 160En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	2 160En pedido	₡9 649,43 ₡7 348,97 ₡6 125,88 ₡5 454,48 ₡5 095,36	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡29 307,41 1 742En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R007M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R007M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	1 742En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZA120R007M1HXKSA1 Existencias: 0 En pedido: 542 Se espera el 28/1/2027 480 Se espera el 16/9/2027 720 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	₡29 307,41 ₡24 997,95 ₡20 620,84	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 240	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡12 387,08 2 877En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R020M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R020M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	2 877En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZA120R020M1HXKSA1 Existencias: 0 En pedido: 477 Se espera el 9/11/2026 2 400 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	₡12 387,08 ₡9 920,07 ₡8 577,27 ₡8 119,26 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡4 309,45 978En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R140M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	978En pedido	₡4 309,45 ₡2 659,58 ₡2 456,60 ₡1 951,75	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 079,74 Plazo de entrega 52 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R090M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	Plazo de entrega 52 Semanas	₡5 079,74 ₡2 732,44 ₡2 524,26 ₡2 425,37	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel