CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1 212En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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617En existencias
MouseReel Disponible
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: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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368En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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616En existencias
240En pedido
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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721En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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4 390En existencias
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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519En existencias
480Se espera el 20/8/2027
Min.: 1
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Máx.: 240

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
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603En existencias
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MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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333En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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375En existencias
720Se espera el 28/10/2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
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297En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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571En existencias
720En pedido
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
480Se espera el 8/10/2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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20En existencias
2 640En pedido
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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142En existencias
240Se espera el 29/10/2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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472En existencias
240Se espera el 8/4/2027
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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5En existencias
960Se espera el 1/9/2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2 160En pedido
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2 877En pedido
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1 440En pedido
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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960En pedido
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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1 554En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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741En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel