Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 16

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡973,27 3 591En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA50R280CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R280CEXKSA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	3 591En existencias	₡973,27 ₡464,26 ₡434,59 ₡344,03 Ver ₡334,14 ₡309,16 ₡270,64	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	18.1 A	280 mOhms	20 V	3.5 V	32.6 nC	- 40 C	+ 150 C	30.4 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R950CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡504,85 4 487En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD50R950CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R950CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	4 487En existencias	Cinta cortada ₡504,85 ₡232,65 ₡205,58 ₡157,70 Envase tipo carrete ₡116,58 Ver ₡109,82 ₡109,30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	6.6 A	2.25 Ohms	20 V	3 V	10.5 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡749,47 19 999En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPD50R500CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R500CEAUMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	19 999En existencias	Cinta cortada ₡749,47 ₡326,33 ₡292,50 ₡234,21 Envase tipo carrete ₡193,61 Ver ₡228,48 ₡180,60 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	7.6 A	500 mOhms	20 V	3 V	18.7 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡1 556,19 3 900En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA50R190CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R190CEXKSA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	3 900En existencias	₡1 556,19 ₡791,11 ₡692,22 ₡541,28 Ver ₡520,47 ₡480,39 ₡479,87	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	450 mOhms	20 V	3 V	47.2 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 072,16 22 433En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD50R280CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R280CEAUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	22 433En existencias	Cinta cortada ₡1 072,16 ₡514,74 ₡460,09 ₡364,85 Envase tipo carrete ₡300,83 Ver ₡360,68 ₡299,27 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	18.1 A	280 mOhms	20 V	3 V	32.6 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡697,42 1 501En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA50R800CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R800CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	1 501En existencias	₡697,42 ₡325,29 ₡288,86 ₡253,47 Ver ₡229,00 ₡201,94 ₡179,04 ₡173,31 ₡164,99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	7.6 A	720 mOhms	20 V	2.5 V	12.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.4 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡681,81 976En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA50R950CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R950CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	976En existencias	₡681,81 ₡318,52 ₡282,61 ₡246,70 Ver ₡209,23 ₡201,42 ₡198,82 ₡189,97 ₡186,85	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	550 V	6.6 A	2.22 Ohms	20 V	3 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	25.7 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡874,38 4 341En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD50R380CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R380CEAUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	4 341En existencias	Cinta cortada ₡874,38 ₡414,81 ₡369,53 ₡290,42 Envase tipo carrete ₡236,81 Ver ₡282,61 ₡223,80 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	14.1 A	380 mOhms	20 V	3 V	24.8 nC	- 55 C	+ 150 C	98 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R380CE Infineon Technologies 1: ₡921,22 638En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA50R380CE N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R380CE	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	638En existencias	₡921,22 ₡577,72 ₡378,90 ₡299,79 Ver ₡266,48 ₡243,58 ₡234,21 ₡227,44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	14.1 A	340 mOhms	20 V	2.5 V	24.8 nC	- 40 C	+ 150 C	29.2 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies 1: ₡1 004,50 1 475En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA50R380CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R380CEXKSA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	1 475En existencias	₡1 004,50 ₡739,06 ₡474,14 ₡303,95 Ver ₡289,38 ₡258,67 ₡252,43 ₡239,41	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	14.1 A	340 mOhms	20 V	2.5 V	24.8 nC	- 40 C	+ 150 C	29.2 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies 1: ₡416,37 7 546En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN50R2K0CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN50R2K0CEATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	7 546En existencias	Cinta cortada ₡416,37 ₡187,89 ₡165,51 ₡125,95 Envase tipo carrete ₡91,08 ₡79,11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	500 V	2.4 A	4.68 Ohms	20 V	2.5 V	6 nC	- 40 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 509,35 1 460En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP50R190CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP50R190CEXKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	1 460En existencias	₡1 509,35 ₡744,27 ₡671,40 ₡541,28 Ver ₡496,00 ₡479,87	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	170 mOhms	20 V	2.5 V	47.2 nC	- 55 C	+ 150 C	152 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R800CE Infineon Technologies 1: ₡791,11 239En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA50R800CE N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R800CE NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	239En existencias	₡791,11 ₡489,24 ₡322,17 ₡253,47 Ver ₡216,51 ₡196,22 ₡173,84 ₡168,11 ₡166,55	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	7.6 A	720 mOhms	20 V	2.5 V	12.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.4 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN50R1K4CEATMA1 Infineon Technologies 1: ₡426,78 2 947En existencias 3 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPN50R1K4CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN50R1K4CEATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2 947En existencias 3 000En pedido	Cinta cortada ₡426,78 ₡200,90 ₡177,48 ₡135,32 Envase tipo carrete ₡104,09 Ver ₡123,87 ₡97,85 ₡88,48 ₡81,71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	500 V	3.1 A	3.28 Ohms	20 V	2.5 V	8.2 nC	- 40 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡452,80 68En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPD50R2K0CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R2K0CEAUMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	68En existencias	Cinta cortada ₡452,80 ₡259,71 ₡186,33 ₡136,88 ₡125,43 Envase tipo carrete ₡91,08 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	3.6 A	2 Ohms	20 V	3 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 IPP50R190CE Infineon Technologies 1: ₡1 514,55 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPP50R190CE N.º de artículo de Mouser 726-IPP50R190CE	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	₡1 514,55 ₡978,47 ₡671,40 ₡541,28 Ver ₡506,93 ₡489,24 ₡473,62	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	190 mOhms	20 V	2.5 V	47.2 nC	- 55 C	+ 150 C	152 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Compartir esto

Filtros aplicados: