Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA445EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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78-SIA445EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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35 Semanas
1
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₡176,44
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₡159,26
3 000
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Detalles
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
12 A
16.5 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
19 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
SIR500DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
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20 800 Se espera el 27/9/2027
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78-SIR500DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
20 800 Se espera el 27/9/2027
1
₡1 535,37
10
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100
₡681,81
500
₡551,69
1 000
₡510,58
3 000
₡483,51
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Mult.: 1
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3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
30 V
350.8 A
470 uOhms
- 12 V, 16 V
2.2 V
120 nC
- 55 C
+ 150 C
104.1 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A
SIRA99DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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78-SIRA99DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A
27 455 En pedido
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6 000 Se espera el 22/4/2027
Plazo de entrega de fábrica:
49 Semanas
1
₡2 050,63
10
₡1 332,39
100
₡936,84
500
₡785,90
1 000
₡728,65
3 000
₡671,40
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3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
1 Channel
30 V
195 A
1.7 mOhms
- 20 V, 16 V
1 V
172.5 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 P-CH 30V 29.4A
SISS05DN-T1-GE3
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35 699 Se espera el 18/1/2027
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78-SISS05DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 P-CH 30V 29.4A
35 699 Se espera el 18/1/2027
1
₡1 186,66
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₡506,41
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₡410,65
1 000
₡379,94
3 000
₡344,03
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Mult.: 1
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3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
30 V
108 A
5.8 mOhms
- 20 V, 16 V
2.2 V
76 nC
- 55 C
+ 150 C
65.7 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V
SUP90P06-09L-E3
Vishay Semiconductors
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6 680 En pedido
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781-SUP90P06-09L-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V
6 680 En pedido
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4 680 Se espera el 6/12/2027
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123 Semanas
1
₡3 596,42
10
₡2 165,14
100
₡1 894,49
500
₡1 550,99
1 000
₡1 509,35
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
P-Channel
1 Channel
60 V
90 A
7.4 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
240 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
TrenchFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7615ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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17 386 Se espera el 17/8/2026
N.º de artículo de Mouser
78-SI7615ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
17 386 Se espera el 17/8/2026
1
₡723,45
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₡298,23
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₡232,13
1 000
₡215,99
3 000
₡182,68
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Mult.: 1
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3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
20 V
35 A
4.4 mOhms
- 12 V, 12 V
1.5 V
122 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
SI8821EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1:
₡286,26
21 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SI8821EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
21 000 En pedido
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9 000 Se espera el 12/10/2026
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8 Semanas
1
₡286,26
10
₡185,81
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₡127,51
500
₡102,01
3 000
₡73,39
6 000
Ver
1 000
₡93,68
6 000
₡69,22
9 000
₡62,98
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Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
P-Channel
1 Channel
30 V
2.3 A
105 mOhms
- 12 V, 12 V
1.3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
900 mW
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET
IRFR9120PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1:
₡1 420,87
2 992 Se espera el 14/1/2028
N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9120PBF-BE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET
2 992 Se espera el 14/1/2028
1
₡1 420,87
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₡801,52
100
₡608,94
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₡513,18
1 000
₡488,20
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
100 V
5.6 A
600 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
Bulk
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A
+2 imágenes
SI2365EDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1:
₡327,89
38 789 Se espera el 6/9/2027
N.º de artículo de Mouser
78-SI2365EDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A
38 789 Se espera el 6/9/2027
Embalaje alternativo
1
₡327,89
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₡198,82
100
₡138,44
500
₡91,60
1 000
₡76,51
3 000
₡57,77
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
5.9 A
26.5 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
13.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.7 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
+2 imágenes
SI2365EDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡353,92
107 198 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SI2365EDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
107 198 En pedido
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2 198 Se espera el 4/2/2027
33 000 Se espera el 3/5/2027
72 000 Se espera el 27/1/2028
Plazo de entrega de fábrica:
79 Semanas
1
₡353,92
10
₡231,61
100
₡147,81
500
₡92,12
1 000
₡73,39
3 000
₡57,77
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
5.9 A
26.5 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
13.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.7 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7121ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡619,35
8 975 Se espera el 25/11/2027
N.º de artículo de Mouser
78-SI7121ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
8 975 Se espera el 25/11/2027
1
₡619,35
10
₡388,27
100
₡255,03
500
₡197,26
1 000
₡179,04
3 000
₡143,13
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
30 V
18 A
15 mOhms
- 25 V, 25 V
2.5 V
33 nC
- 50 C
+ 150 C
27.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
SI8851EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1:
₡650,58
9 000 Se espera el 8/7/2027
N.º de artículo de Mouser
78-SI8851EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
9 000 Se espera el 8/7/2027
1
₡650,58
10
₡360,16
100
₡265,96
500
₡207,67
1 000
₡198,30
3 000
₡155,10
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
MicroFoot-30
P-Channel
1 Channel
20 V
16.7 A
6 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
180 nC
- 55 C
+ 150 C
3.1 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA447DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡536,08
65 400 Se espera el 26/8/2027
N.º de artículo de Mouser
78-SIA447DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
65 400 Se espera el 26/8/2027
1
₡536,08
10
₡379,94
100
₡236,29
500
₡162,91
1 000
₡137,40
3 000
₡122,83
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
12 V
12 A
11 mOhms
- 8 V, 8 V
850 mV
80 nC
- 55 C
+ 150 C
19 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡1 014,91
9 247 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SISA01DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
9 247 En pedido
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En pedido:
3 247 Se espera el 26/8/2027
Plazo de entrega de fábrica:
79 Semanas
1
₡1 014,91
10
₡624,56
100
₡423,14
500
₡332,58
1 000
₡284,17
3 000
₡250,34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
30 V
60 A
4.9 mOhms
- 20 V, 16 V
2.2 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
SISH536DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡603,74
12 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SISH536DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
12 000 En pedido
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En pedido:
6 000 Se espera el 17/12/2026
6 000 Se espera el 27/9/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
1
₡603,74
10
₡373,17
100
₡245,66
500
₡198,30
1 000
₡176,96
3 000
₡149,37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-8
N-Channel
1 Channel
30 V
67.4 A
3.25 mOhms
- 12 V, 16 V
2.2 V
16.6 nC
- 55 C
+ 150 C
26.5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23
+2 imágenes
SI2318CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡515,26
124 191 En pedido
N.º de artículo de Mouser
781-SI2318CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23
124 191 En pedido
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Embalaje alternativo
En pedido:
28 191 Pendiente
96 000 Se espera el 17/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
49 Semanas
1
₡515,26
10
₡354,96
100
₡224,84
500
₡138,96
1 000
₡103,05
3 000
₡91,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
40 V
5.6 A
42 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
2.9 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60-V (D-S)
SUD23N06-31-T4-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡1 077,36
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SUD23N06-31-T4GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60-V (D-S)
No en existencias
1
₡1 077,36
10
₡687,01
100
₡462,17
500
₡366,41
1 000
₡335,70
2 500
₡301,87
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
21.4 A
31 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
31.25 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V
SUP90N06-05L-E3
Vishay / Siliconix
500:
₡1 655,08
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SUP90N06-05L-E3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V
No en existencias
500
₡1 655,08
1 000
₡1 483,33
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
300 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
TrenchFET
Tube