DI006H03SQ

Diotec Semiconductor
637-DI006H03SQ
DI006H03SQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

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Diotec Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel, P-Channel
4 Channel
30 V
4.2 A, 6 A
25 mOhms, 50 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V, 2 V
11.7 nC, 11.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: Diotec Semiconductor
Configuración: Quad
Tiempo de caída: 8.7 ns, 13.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 4 S, 3.5 S
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns, 4.9 ns
Serie: DI0XX
Cantidad de empaque de fábrica: 4000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 17.5 ns, 28.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11.2 ns, 7.5 ns
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Models

Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

Diotec Semiconductor DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge delivers a low on-state resistance, a low gate charge, and fast switching times. With a wide junction temperature range from -55°C to +150°C, DI006H03SQ provides 1.5W maximum power dissipation and a ±20V maximum continuous gate-source voltage. The low-profile SO-8 packaged DI006H03SQ is geared toward DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

En existencias: 3 908

Existencias:
3 908 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
10 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡1 316,78 ₡1 316,78
₡848,36 ₡8 483,60
₡577,72 ₡57 772,00
₡461,13 ₡230 565,00
₡424,18 ₡424 180,00
₡350,27 ₡700 540,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
₡326,85 ₡1 307 400,00
₡317,48 ₡2 539 840,00
24 000 Presupuesto

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