Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NVMFS5C604N Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS5C604N Single N-Channel Power MOSFET features a 288A continuous drain current, 1.2mΩ at 10V R_DS(ON), and 60V drain-to-source voltage. The NVMFS5C604N is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO NVMFS5C604NT1G onsemi 1: ₡5 548,16 131En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C604NT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	131En existencias	Cinta cortada ₡5 548,16 ₡3 924,31 ₡3 268,52 ₡2 914,61 ₡2 722,03 Envase tipo carrete ₡2 722,03	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	60 V	288 A	1.2 mOhms	20 V	4 V	80 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO NVMFS5C604NLWFT1G onsemi 1: ₡4 142,90 1 055En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVM604NLWFT1G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	1 055En existencias	Cinta cortada ₡4 142,90 ₡2 768,88 ₡2 227,59 ₡1 977,77 ₡1 753,97 Envase tipo carrete ₡1 753,97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 500	Si	SMD/SMT	SO-8FL	N-Channel	1 Channel	60 V	287 A	930 uOhms	20 V	1.2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET NVMFS5C604NLAFT1G onsemi 1: ₡4 179,34 43En existencias 9 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLAFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C604NLFT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	43En existencias 9 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFS5C604NLAFT1G Existencias: 43 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 6 000 Se espera el 23/4/2027 3 000 Se espera el 2/7/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡4 179,34 ₡2 794,90 ₡2 248,41 ₡1 998,59 ₡1 769,58 Envase tipo carrete ₡1 769,58 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	287 A	930 uOhms	20 V	2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET NVMFS5C604NLWFAFT1G onsemi 1: ₡3 882,67 46En existencias 10 500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLWFAFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C604NWFT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	46En existencias 10 500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFS5C604NLWFAFT1G Existencias: 46 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3 000 Se espera el 16/6/2027 7 500 Se espera el 18/6/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡3 882,67 ₡2 597,12 ₡2 087,07 ₡1 852,86 ₡1 644,67 Envase tipo carrete ₡1 644,67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	60 V	287 A	930 uOhms	20 V	1.2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO NVMFS5C604NLT1G onsemi 1: ₡4 923,60 12En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C604NLT1G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	12En existencias	Cinta cortada ₡4 923,60 ₡3 466,30 ₡2 800,10 ₡2 493,03 ₡2 206,77 Envase tipo carrete ₡2 206,77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	287 A	1.2 mOhms	20 V	2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO NVMFS5C604NWFT1G onsemi 1: ₡5 714,71 6 900Se espera el 12/1/2027	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-FS5C604NWFT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	6 900Se espera el 12/1/2027	Cinta cortada ₡5 714,71 ₡4 038,81 ₡3 362,21 ₡2 997,88 ₡2 805,31 Envase tipo carrete ₡2 805,31	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	60 V	288 A	1.2 mOhms	20 V	4 V	80 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO NVMFS5C604NLWFET1G onsemi 1: ₡3 882,67 1 500Se espera el 1/3/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLWFET1G N.º de artículo de Mouser 863-MFS5C604NLWFET1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	1 500Se espera el 1/3/2027	Cinta cortada ₡3 882,67 ₡2 597,12 ₡2 087,07 ₡1 852,86 ₡1 488,53 Envase tipo carrete ₡1 488,53	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	60 V	287 A	1.2 mOhms	20 V	2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET NVMFS5C604NLAFT3G onsemi 5 000: ₡1 603,03 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C604NLAFT3G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C604NLFT3G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET Obtenga más información sobre onsemi nvmfs5c604n mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete ₡1 603,03	Min.: 5 000 Mult.: 5 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	SO-8FL	N-Channel	1 Channel	60 V	40 A, 287 A	930 uOhms	20 V	1.2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	3.9 W, 200 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel

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