SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

Resultados: 127
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK
Hoja de datos
760En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT DPAK- N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Hoja de datos
2 788En existencias
1 600Se espera el 2/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
Hoja de datos
4 195En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 290
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 29MOHM TO-247
Hoja de datos
113En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 29 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 201 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
Hoja de datos
450En existencias
450Se espera el 6/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V FAST 50MOHM TOLL
Hoja de datos
1 701En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 98 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 27MOHM
Hoja de datos
239En existencias
450Se espera el 30/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
Hoja de datos
305En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 32 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 159 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247
Hoja de datos
375En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 337 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M
Hoja de datos
763En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-220
Hoja de datos
619En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 80 mC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
Hoja de datos
998En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Hoja de datos
966En existencias
1 600Se espera el 13/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Hoja de datos
2 403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Hoja de datos
820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Hoja de datos
430En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MOHM TO-247-4
Hoja de datos
385En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 PKG
Hoja de datos
449En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 27.4 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 50MOHM TO-247-3
Hoja de datos
352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 119 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement AEC-Q101 Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
Hoja de datos
524En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 40 mOhm
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 35.4 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 136 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
Hoja de datos
953En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220 PKG
Hoja de datos
474En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 144 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220 PKG
Hoja de datos
707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220 PKG
Hoja de datos
284En existencias
800Se espera el 22/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube