Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS4D0N08XT1G onsemi 1: ₡1 165,84 48En existencias 30 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS4D0N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS4D0N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi on semi single n channel mosfets	Hoja de datos	48En existencias 30 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS4D0N08XT1G Existencias: 48 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 13 500 Se espera el 20/11/2026 10 500 Se espera el 12/1/2027 6 000 Se espera el 1/3/2028 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada ₡1 165,84 ₡739,06 ₡499,13 ₡404,40 ₡362,24 Envase tipo carrete ₡362,24	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 610 : 1 500	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	1 Channel	80 V	119 A	3.5 mOhms	20 V	3.6 V	21 nC	- 55 C	+ 170 C	107 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS2D1N08XT1G onsemi 1: ₡1 899,70 16 086En existencias 37 500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS2D1N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS2D1N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	16 086En existencias 37 500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS2D1N08XT1G Existencias: 16 086 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 16 500 Se espera el 16/6/2027 21 000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada ₡1 899,70 ₡1 233,50 ₡863,97 ₡723,45 ₡671,40 Envase tipo carrete ₡634,97	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 500 : 1 500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	80 V	201 A	1.9 mOhms	20 V	3.6 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	164 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL NTBLS0D8N08XTXG onsemi 1: ₡4 481,21 28 583En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTBLS0D8N08XTXG N.º de artículo de Mouser 863-NTBLS0D8N08XTXG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL Obtenga más información sobre onsemi ntbls0d8n08x mosfet	Hoja de datos	28 583En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTBLS0D8N08XTXG Existencias: 0 En pedido: 12 583 Se espera el 30/11/2026 16 000 Se espera el 12/3/2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada ₡4 481,21 ₡3 154,02 ₡2 550,28 ₡2 269,23 ₡2 009,00 Envase tipo carrete ₡2 009,00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	457 A	790 uOhms	20 V	3.6 V	174 nC	- 55 C	+ 175 C	325 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS3D0N08XT1G onsemi 1: ₡1 582,21 28 438En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS3D0N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS3D0N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi ntmfs3d0n08x mosfet	Hoja de datos	28 438En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS3D0N08XT1G Existencias: 0 En pedido: 5 938 Se espera el 7/7/2027 22 500 Se espera el 14/7/2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada ₡1 582,21 ₡1 020,11 ₡697,42 ₡567,31 ₡525,67 Envase tipo carrete ₡525,67	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 510 : 1 500	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	1 Channel	80 V	154 A	2.6 mOhms	20 V	3.6 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF NTMFWS1D5N08XT1G onsemi 1: ₡2 264,02 18 615En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFWS1D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFWS1D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF Obtenga más información sobre onsemi ntmfws1d5n08x mosfet	Hoja de datos	18 615En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFWS1D5N08XT1G Existencias: 0 En pedido: 615 Pendiente 1 500 Se espera el 15/1/2027 6 000 Se espera el 22/1/2027 10 500 Se espera el 15/11/2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada ₡2 264,02 ₡1 483,33 ₡1 103,39 ₡926,43 ₡858,77 Envase tipo carrete ₡858,77	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 500 : 1 500	Si	SMD/SMT	SO8FL-8	N-Channel	1 Channel	80 V	253 A	1.43 mOhms	20 V	3.6 V	83 nC	- 55 C	+ 175 C	194 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS2D5N08XT1G onsemi 1: ₡1 696,72 12 003En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS2D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS2D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi ntbls0d8n08x mosfet	Hoja de datos	12 003En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS2D5N08XT1G Existencias: 0 En pedido: 3 Se espera el 17/11/2026 4 500 Se espera el 8/1/2027 3 000 Se espera el 12/3/2027 4 500 Se espera el 2/7/2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada ₡1 696,72 ₡1 098,18 ₡759,88 ₡629,76 ₡588,13 Envase tipo carrete ₡588,13	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 500 : 1 500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	80 V	181 A	2.1 mOhms	20 V	3.6 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS3D5N08XT1G onsemi 1: ₡1 290,75 5 747En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS3D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS3D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	5 747En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS3D5N08XT1G Existencias: 0 En pedido: 2 747 Se espera el 30/4/2027 3 000 Se espera el 21/5/2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada ₡1 290,75 ₡827,54 ₡562,10 ₡478,83 ₡423,66 Envase tipo carrete ₡423,66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 500 : 1 500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	80 V	135 A	3 mOhms	20 V	3.6 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	119 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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