600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

ROHM Semiconductor 600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs utilize original patented technology to accelerate the parasitic diode, achieving ultra-fast reverse recovery characteristics to achieve low power consumption. The PrestoMOS design enables a reduction in power loss of about 58% at light loads when compared with IGBT implementations. Additionally, raising the reference voltage needed to turn ON the MOSFET prevents self-turn-ON, which is one of the main causes of loss. The optimized built-in parasitic diode improves the soft recovery index specific to Super Junction MOSFETs, which reduces noise that can lead to malfunction.

Resultados: 14
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 891En existencias
₡2 133,91
₡1 160,64
₡1 056,54
₡863,97
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 300 mOhms 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 985En existencias
₡4 897,58
₡2 685,60
₡2 472,21
₡2 316,07
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
Hoja de datos
700En existencias
₡7 489,50
₡4 345,89
₡4 314,66
₡4 033,61
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 51 Ohms 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET
Hoja de datos
5 047En existencias
Cinta cortada
₡1 894,49
₡1 035,73
₡936,84
₡775,49
₡770,29
Envase tipo carrete
₡718,24
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 300 mOhms 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET
Hoja de datos
567En existencias
₡5 313,95
₡3 804,60
₡3 502,73
₡3 476,71
₡3 247,70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 99 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 940En existencias
₡2 113,09
₡1 571,81
₡1 228,30
₡999,29
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 933En existencias
₡3 403,84
₡1 800,81
₡1 649,88
₡1 540,58
₡1 426,08
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 114 mOhms 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Hoja de datos
890En existencias
₡4 174,13
₡2 253,62
₡2 066,25
₡2 019,41
₡1 873,68
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 090En existencias
₡8 431,54
₡4 824,71
₡4 496,82
₡4 439,57
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77 A 51 mOhms 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2 003En existencias
₡3 377,82
₡1 790,40
₡1 634,26
₡1 415,67
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 969En existencias
₡3 044,72
₡1 597,83
₡1 457,30
₡1 228,30
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 153 mOhms 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 165A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 102En existencias
₡7 031,49
₡3 913,90
₡3 716,12
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 649En existencias
₡2 487,82
₡1 629,06
₡1 212,68
₡1 020,11
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms 30 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET
Hoja de datos
24En existencias
₡2 425,37
₡1 259,53
₡1 139,82
₡936,84
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 260 mOhms 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube