Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡916,02 8 262En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N04S6L020ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N04S6L020	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 20v 40v n channel auto mosfet	Hoja de datos	8 262En existencias	Cinta cortada ₡916,02 ₡434,59 ₡285,22 ₡241,50 Envase tipo carrete ₡241,50 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.26 mOhms	16 V	1.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IPG20N04S418AATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 051,34 1 470En existencias 5 000Se espera el 3/6/2027	N.º de artículo del Fabricante IPG20N04S418AATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N04S418AATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 20v 40v n channel auto mosfet	Hoja de datos	1 470En existencias 5 000Se espera el 3/6/2027	Cinta cortada ₡1 051,34 ₡650,58 ₡427,30 ₡335,70 Envase tipo carrete ₡226,40 Ver ₡287,30 ₡260,23 ₡220,68 ₡215,99	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	20 A	18 mOhms	20 V	3 V	8.7 nC	- 55 C	+ 175 C	26 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 587,42 7 003En existencias 20 000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N08S5N031ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N08S5N031	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	7 003En existencias 20 000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada ₡1 587,42 ₡890,00 ₡687,01 ₡556,90 Ver Envase tipo carrete ₡475,71 ₡536,08 ₡525,67 ₡475,71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	3.5 mOhms	20 V	2.2 V	76 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 431,28 8 613En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC90N10S5N062ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC90N10S5N062A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	8 613En existencias	Cinta cortada ₡1 431,28 ₡728,65 ₡608,94 ₡512,66 Ver Envase tipo carrete ₡431,47 ₡487,68 ₡448,64 ₡431,47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	90 A	6.2 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 450,69 1 424En existencias 14 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IAUT300N10S5N015ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUT300N10S5N015	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	1 424En existencias 14 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IAUT300N10S5N015ATMA1 Existencias: 1 424 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 12 000 Se espera el 18/2/2027 2 000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 26 Semanas	Cinta cortada ₡3 450,69 ₡1 821,63 ₡1 665,49 ₡1 524,96 ₡1 384,44 Envase tipo carrete ₡1 358,41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	100 V	300 A	1.5 mOhms	20 V	2.2 V	166 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡687,01 7 915En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUZ20N08S5L300ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ20N08S5L300A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	7 915En existencias	Cinta cortada ₡687,01 ₡320,61 ₡284,17 ₡221,20 Envase tipo carrete ₡164,47 Ver ₡216,51 ₡205,58 ₡161,86	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	20 A	30 mOhms	20 V	2 V	8.1 nC	- 55 C	+ 175 C	30 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 450,69 3 237En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUS300N08S5N014TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-US300N08S5N014T1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	3 237En existencias	Cinta cortada ₡3 450,69 ₡1 832,04 ₡1 675,90 ₡1 556,19 ₡1 472,92 Envase tipo carrete ₡1 472,92	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	80 V	300 A	1.4 mOhms	20 V	3.8 V	144 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡780,70 392En existencias 20 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IAUC41N06S5L100ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC41N06S5L100A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	392En existencias 20 000En pedido	Cinta cortada ₡780,70 ₡365,89 ₡325,29 ₡254,51 Ver Envase tipo carrete ₡191,01 ₡252,95 ₡240,98 ₡191,01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8-3	N-Channel	1 Channel	60 V	41 A	10 mOhms	16 V	1.7 V	12.7 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 503,44 766En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUS200N08S5N023ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUS200N08S5N023	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	766En existencias	Cinta cortada ₡2 503,44 ₡1 290,75 ₡1 171,05 ₡1 092,98 ₡952,45 Envase tipo carrete ₡952,45	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	80 V	200 A	3.7 mOhms	20 V	2.2 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape

Filtros aplicados:

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