Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel
SSM6N56FE,LM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel
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8 V
400 mV
1 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
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WCSP6C-6
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8 V
400 mV
5.4 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
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SMD/SMT
SOT-23F-3
N-Channel
1 Channel
60 V
2 A
171 mOhms
20 V
2.1 V
1.84 nC
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SMD/SMT
UDFN-6B
N-Channel
1 Channel
60 V
2 A
87 mOhms
20 V
2.1 V
2.66 nC
+ 150 C
3 W
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SSM6K388R,LF
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SMD/SMT
TSOP-6F
N-Channel
1 Channel
60 V
2 A
87 mOhms
20 V
2.1 V
2.66 nC
+ 150 C
3 W
Enhancement
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SSM6K389NU,LF
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SMD/SMT
UDFN-6B
N-Channel
1 Channel
60 V
2 A
171 mOhms
20 V
2.1 V
1.84 nC
+ 150 C
3 W
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SSM6K389R,LF
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SMD/SMT
TSOP-6F
N-Channel
1 Channel
60 V
2 A
171 mOhms
20 V
2.1 V
1.84 nC
+ 150 C
3 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
SSM3K339R,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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SMD/SMT
SOT-23F-3
N-Channel
1 Channel
40 V
2 A
185 mOhms
8 V
850 mV
+ 150 C
1 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
SSM3K56FS,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
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SMD/SMT
SOT-416-3
N-Channel
1 Channel
20 V
800 mA
235 mOhms
8 V
400 mV
1 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSVII-H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A
SSM3K72CFS,LF
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757-SSM3K72CFSLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A
123 022 En existencias
186 000 Se espera el 12/3/2027
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SMD/SMT
SOT-416-3
N-Channel
1 Channel
60 V
170 mA
2.8 Ohms
20 V
1.1 V
350 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSVII-H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
SSM3K333R,LF
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757-SSM3K333RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
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N-Channel
1 Channel
AEC-Q100
U-MOSVII-H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
SSM3K376R,LF
Toshiba
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121 269 En existencias
141 000 Se espera el 5/4/2027
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757-SSM3K376RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
N-Channel
1 Channel
30 V
4 A
56 mOhms
- 8 V, 12 V
1 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVII-H
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
SSM3K56MFV,L3F
Toshiba
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757-SSM3K56MFVL3F
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
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SMD/SMT
SOT-723-3
N-Channel
1 Channel
20 V
800 mA
235 mOhms
8 V
400 mV
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSVII-H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET
SSM3K72KCT,L3F
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET
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SMD/SMT
CST3-3
N-Channel
1 Channel
60 V
400 mA
1.05 Ohms
20 V
1.1 V
600 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSVII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
SSM6N67NU,LF
Toshiba
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37 859 En existencias
66 000 Se espera el 11/12/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N67NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel
2 Channel
30 V
4 A
39.1 mOhms
- 8 V, 12 V
400 mV
3.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
SSM6N7002KFU,LF
Toshiba
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194 964 En existencias
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757-SSM6N7002KFULF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
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SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
300 mA
1.5 Ohms
20 V
1.1 V
390 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSVII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
T2N7002AK,LM
Toshiba
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757-T2N7002AKLM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
354 197 En existencias
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SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
200 mA
3.9 Ohms
20 V
1.1 V
270 pC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
U-MOSVII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
+2 imágenes
T2N7002BK,LM
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser
757-T2N7002BKLM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
703 885 En existencias
105 000 Se espera el 9/11/2026
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
400 mA
1.5 Ohms
20 V
1.1 V
390 pC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
U-MOSVII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
SSM3K335R,LF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K335RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
30 V
6 A
56 mOhms
20 V
2.5 V
2.7 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVII-H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
SSM3K336R,LF
Toshiba
1:
₡260,23
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N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K336RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
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Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
N-Channel
1 Channel
30 V
3 A
95 mOhms
20 V
1.3 V
1.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVII-H
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V
SSM3K344R,LF
Toshiba
1:
₡322,69
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N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K344RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V
2 095 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
N-Channel
1 Channel
20 V
3 A
51 mOhms
8 V
400 mV
2 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
U-MOSVII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F
SSM3K388R,LF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K388RLF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F
1 540 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
N-Channel
1 Channel
60 V
2 A
87 mOhms
20 V
2.1 V
2.66 nC
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1.8 W
Enhancement
Reel, Cut Tape