U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Resultados: 44
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel 139 196En existencias
8 000Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
₡229,00
₡101,49
₡88,48
₡66,10
Envase tipo carrete
₡56,21
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: 4 000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms, 235 mOhms 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz 51 571En existencias
Cinta cortada
₡452,80
₡207,67
₡183,20
₡140,01
Envase tipo carrete
₡107,74
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: 3 000
Si SMD/SMT WCSP6C-6 N-Channel 1 Channel 12 V 7 A 14.4 mOhms 8 V 400 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 14 188En existencias
Cinta cortada
₡364,33
₡164,99
₡143,65
₡101,49
Envase tipo carrete
₡83,79
₡72,87
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Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF 6 164En existencias
39 000Se espera el 4/12/2026
Cinta cortada
₡223,80
₡97,85
₡85,88
₡64,02
Envase tipo carrete
₡47,36
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Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD 8 938En existencias
Cinta cortada
₡348,71
₡156,66
₡137,40
₡101,49
Envase tipo carrete
₡73,39
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: 3 000
Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F 7 871En existencias
Cinta cortada
₡166,55
₡72,34
₡62,98
₡46,32
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₡33,83
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, UDFN6B 2 830En existencias
Cinta cortada
₡208,19
₡93,16
₡81,19
₡60,37
Envase tipo carrete
₡44,76
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: 3 000
Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F 2 827En existencias
Cinta cortada
₡244,62
₡109,30
₡95,77
₡71,30
Envase tipo carrete
₡53,09
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: 3 000
Si SMD/SMT TSOP-6F N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, TSOP6F 2 980En existencias
Cinta cortada
₡187,37
₡82,75
₡72,34
₡53,61
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₡39,56
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: 3 000
Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B 3 000En existencias
Cinta cortada
₡223,80
₡97,85
₡85,88
₡64,02
Envase tipo carrete
₡47,36
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: 3 000
Si SMD/SMT TSOP-6F N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 229 543En existencias
Cinta cortada
₡223,80
₡97,85
₡85,88
₡64,02
Envase tipo carrete
₡46,32
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: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2 A 185 mOhms 8 V 850 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF 45 309En existencias
Cinta cortada
₡202,98
₡89,52
₡78,07
₡58,29
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₡42,68
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: 3 000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A 123 022En existencias
186 000Se espera el 12/3/2027
Cinta cortada
₡98,89
₡42,68
₡36,95
₡27,06
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₡18,22
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: 3 000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 2.8 Ohms 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
54 909En existencias
Cinta cortada
₡270,64
₡120,23
₡105,13
₡79,11
Envase tipo carrete
₡59,33
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: 3 000
Si N-Channel 1 Channel AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
121 269En existencias
141 000Se espera el 5/4/2027
Cinta cortada
₡208,19
₡93,16
₡81,19
₡60,37
Envase tipo carrete
₡44,76
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: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm 80 870En existencias
96 000Se espera el 4/12/2026
Cinta cortada
₡301,87
₡208,19
₡132,20
₡83,27
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₡47,88
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: 8 000
Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms 8 V 400 mV + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET 152 102En existencias
190 000En pedido
Cinta cortada
₡119,71
₡53,09
₡46,32
₡33,83
Envase tipo carrete
₡20,30
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: 10 000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
37 859En existencias
66 000Se espera el 11/12/2026
Cinta cortada
₡364,33
₡164,99
₡145,21
₡109,82
Envase tipo carrete
₡83,79
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: 3 000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 400 mV 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
194 964En existencias
609 000En pedido
Cinta cortada
₡119,71
₡53,09
₡46,32
₡33,83
Envase tipo carrete
₡24,46
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: 3 000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 354 197En existencias
Cinta cortada
₡88,48
₡37,99
₡33,31
₡23,94
Envase tipo carrete
₡15,09
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: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 3.9 Ohms 20 V 1.1 V 270 pC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 703 885En existencias
105 000Se espera el 9/11/2026
Cinta cortada
₡88,48
₡38,51
₡33,31
₡23,94
Envase tipo carrete
₡15,09
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: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.5 Ohms 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
2 167En existencias
36 000En pedido
Cinta cortada
₡291,46
₡130,64
₡114,50
₡85,88
Envase tipo carrete
₡64,54
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
1 590En existencias
3 000Se espera el 25/12/2026
Cinta cortada
₡260,23
₡115,54
₡100,97
₡75,99
Envase tipo carrete
₡56,73
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 1.3 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V 2 095En existencias
15 000Se espera el 6/11/2026
Cinta cortada
₡322,69
₡142,09
₡124,39
₡93,16
Envase tipo carrete
₡55,17
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F 1 540En existencias
3 000Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
₡182,16
₡81,19
₡70,78
₡52,57
Envase tipo carrete
₡38,51
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 87 mOhms 20 V 2.1 V 2.66 nC + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape