750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

Resultados: 23
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC 623En existencias
₡10 732,00
₡6 542,25
₡6 490,20
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC 437En existencias
₡17 149,33
₡13 303,10
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC 641En existencias
₡14 036,95
₡11 085,91
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC 1 994En existencias
Cinta cortada
₡9 399,61
₡5 792,78
₡5 709,51
₡5 584,59
Envase tipo carrete
₡5 407,64
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 1 946En existencias
Cinta cortada
₡6 396,52
₡3 622,44
₡3 539,16
₡3 445,48
Envase tipo carrete
₡3 310,16
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC 311En existencias
₡7 130,38
₡4 226,18
₡4 085,65
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 98A N-CH SIC 279En existencias
1 000Se espera el 11/11/2026
Cinta cortada
₡16 524,78
₡11 871,82
₡11 767,72
Envase tipo carrete
₡11 085,91
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 120A SIC 900En existencias
Cinta cortada
₡18 237,11
₡13 433,21
₡13 428,01
₡12 824,27
₡12 720,17
Envase tipo carrete
₡12 720,17
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 C 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 46A SIC 1 990En existencias
Cinta cortada
₡8 790,66
₡5 313,95
₡5 027,70
Envase tipo carrete
₡5 027,70
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 C 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 37A SIC 1 941En existencias
Cinta cortada
₡7 682,07
₡4 460,39
₡4 220,97
Envase tipo carrete
₡4 220,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 C 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 80A SIC 490En existencias
Cinta cortada
₡13 266,66
₡8 993,64
₡8 957,21
₡8 514,81
Envase tipo carrete
₡8 514,81
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 C 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 439En existencias
₡7 447,86
₡4 174,13
₡4 002,38
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 410En existencias
₡6 557,86
₡3 622,44
₡3 393,43
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive 1 000En existencias
Cinta cortada
₡6 516,23
₡3 674,49
₡3 601,62
Envase tipo carrete
₡3 362,21
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 450En existencias
₡5 579,39
₡3 029,11
₡2 800,10
₡2 742,85
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 26A SIC 970En existencias
Cinta cortada
₡6 375,70
₡3 586,01
₡3 502,73
₡3 310,16
Envase tipo carrete
₡3 310,16
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 440En existencias
₡4 788,28
₡2 669,99
₡2 409,75
₡2 357,71
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 750V, 45mO, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET 1 000En existencias
Cinta cortada
₡4 757,05
₡2 602,33
₡2 394,14
₡2 383,73
Envase tipo carrete
₡2 227,59
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC 1 439En existencias
Cinta cortada
₡10 216,74
₡7 786,16
₡6 360,09
₡5 782,37
Envase tipo carrete
₡5 397,23
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 61A SIC 92En existencias
Cinta cortada
₡10 622,70
₡6 776,46
₡6 745,23
₡6 412,13
Envase tipo carrete
₡6 412,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 C 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC 428En existencias
₡7 744,53
₡4 481,21
₡4 142,90
₡3 971,15
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC 63En existencias
500En pedido
₡10 039,78
₡6 490,20
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 23En existencias
1 000En pedido
Cinta cortada
₡6 479,79
₡3 684,90
₡3 575,60
₡3 372,62
Envase tipo carrete
₡3 148,82
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement