Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE020N04LM6CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 389,64 3 936En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE020N04LM6CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE020N04LM6CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	3 936En existencias	Cinta cortada ₡1 389,64 ₡681,81 ₡614,15 ₡490,28 Ver Envase tipo carrete ₡428,86 ₡479,87 ₡465,30 ₡428,86	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	166 A	2.05 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance IQE020N04LM6CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 519,76 4 712En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE020N04LM6CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE020N04LM6CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	4 712En existencias	Cinta cortada ₡1 519,76 ₡754,67 ₡676,61 ₡546,49 Ver Envase tipo carrete ₡421,06 ₡513,70 ₡496,00 ₡421,06	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT	WTFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	166 A	2.05 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡806,72 94 218En existencias 95 000Se espera el 4/3/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC022N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC022N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	94 218En existencias 95 000Se espera el 4/3/2027	Cinta cortada ₡806,72 ₡379,42 ₡337,78 ₡264,40 ₡251,38 Envase tipo carrete ₡201,94 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 7 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.2 mOhms	20 V	1.3 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	79 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ018N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 056,54 32 057En existencias 5 000Se espera el 13/10/2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ018N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ018N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	32 057En existencias 5 000Se espera el 13/10/2026	Cinta cortada ₡1 056,54 ₡671,40 ₡525,67 ₡423,66 Ver Envase tipo carrete ₡340,90 ₡395,55 ₡395,03 ₡340,90 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	2.1 mOhms	20 V	2.3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 119,00 1 614En existencias 31 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ024N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ024N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	1 614En existencias 31 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ024N04LS6ATMA1 Existencias: 1 614 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1 000 Se espera el 15/10/2026 15 000 Se espera el 22/10/2026 15 000 Se espera el 3/6/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada ₡1 119,00 ₡588,13 ₡462,17 ₡366,41 Envase tipo carrete ₡285,74 Ver ₡351,31 ₡349,75 ₡279,49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	2.8 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 301,16 203En existencias 30 000Se espera el 8/4/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC010N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	203En existencias 30 000Se espera el 8/4/2027	Cinta cortada ₡1 301,16 ₡744,27 ₡562,10 ₡451,76 Ver Envase tipo carrete ₡373,17 ₡415,33 ₡388,27 ₡373,17 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1 mOhms	20 V	1.3 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC059N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡567,31 738En existencias 50 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC059N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC059N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	738En existencias 50 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC059N04LS6ATMA1 Existencias: 738 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 20 000 Se espera el 15/10/2026 30 000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada ₡567,31 ₡344,55 ₡242,54 ₡174,88 Ver Envase tipo carrete ₡99,93 ₡154,06 ₡137,92 ₡99,93 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	59 A	5.9 mOhms	20 V	1.3 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 733,15 39 863En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC007N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC007N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	39 863En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC007N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 24 863 Se espera el 31/12/2026 15 000 Se espera el 18/3/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡1 733,15 ₡1 014,91 ₡806,72 ₡692,22 Ver Envase tipo carrete ₡582,92 ₡655,79 ₡629,76 ₡582,92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	381 A	700 uOhms	20 V	1.3 V	94 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡671,40 168 348En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ063N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ063N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	168 348En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ063N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 28 348 Se espera el 18/11/2026 50 000 Se espera el 6/5/2027 90 000 Se espera el 24/6/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada ₡671,40 ₡357,56 ₡267,52 ₡214,43 ₡206,10 Envase tipo carrete ₡153,54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	7 mOhms	20 V	2.3 V	9.5 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ021N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 061,75 14 976En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ021N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ021N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	14 976En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ021N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 9 976 Se espera el 22/10/2026 5 000 Se espera el 2/9/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡1 061,75 ₡510,58 ₡456,97 ₡389,83 ₡362,24 Envase tipo carrete ₡297,19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	2.4 mOhms	20 V	2.3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel

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